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1. (WO2016203937) CIRCUIT DE COMMANDE POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR ÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2016/203937 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065891
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 30.05.2016
CIB :
H03K 17/08 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01) ,H02M 1/08 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : HORIGUCHI, Takeshi; JP
NAKAYAMA, Yasushi; JP
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2015-12084816.06.2015JP
Titre (EN) DRIVE CONTROL CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR ÉLECTRIQUE
(JA) 電力用半導体素子の駆動制御回路
Abrégé : front page image
(EN) In the present invention, a voltage driving unit (3) transits a voltage at a gate (101), which is a control electrode of a power semiconductor element (100), in response to an ON instruction or an OFF instruction. A gate voltage detecting unit (4) generates a gate voltage detection signal (VG). A delay signal generating unit (5) generates a delay signal (dVG) in which a delay time is added to the detection signal (VG). A difference calculating unit (6) generates a voltage differential signal (VD) between the detection signal (VG) and the delay signal (dVG). A short-circuit state detecting unit (7) detects that the power semiconductor element (100) is in a short-circuit state when the voltage differential signal (VD) exceeds a reference voltage (VR1) during a turn-on operation of the power semiconductor element (100).
(FR) Selon la présente invention, une unité de commande de tension (3) fait transiter une tension au niveau d'une grille (101), qui est une électrode de commande d'un élément semiconducteur électrique (100), en réponse à une instruction MARCHE ou une instruction ARRÊT. Une unité de détection de tension de grille (4) génère un signal de détection de tension de grille (VG). Une unité de génération de signal de retard (5) génère un signal de retard (dVG) dans lequel un temps de retard est ajouté au signal de détection (VG). Une unité de calcul de différence (6) génère un signal différentiel de tension (VD) entre le signal de détection (VG) et le signal de retard (dVG). Une unité de détection d'état de court-circuit (7) détecte que l'élément semiconducteur électrique (100) est dans un état de court-circuit lorsque le signal différentiel de tension (VD) dépasse une tension de référence (VR1) pendant une opération de mise sous tension de l'élément semiconducteur électrique (100).
(JA) 電圧駆動部(3)は、オン指令またはオフ指令に応じて電力用半導体素子(100)の制御電極であるゲート(101)の電圧を遷移する。ゲート電圧検出部(4)は、ゲート電圧の検出信号(VG)を生成する。遅延信号生成部(5)は、検出信号(VG)に対して遅延時間を付与した遅延信号(dVG)を生成する。差分演算部(6)は、検出信号(VG)および遅延信号(dVG)の間の電圧差分信号(VD)を生成する。短絡状態検出部(7)は、電力用半導体素子(100)のターンオン動作時において、電圧差分信号(VD)が基準電圧(VR1)を超えると、電力用半導体素子(100)の短絡状態を検出する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)