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1. (WO2016203887) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN NOUVEAU COMPOSÉ, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM FIN, ET FILM FIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/203887 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/064573
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 17.05.2016
CIB :
C07F 13/00 (2006.01) ,C07F 15/04 (2006.01) ,C07F 15/06 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
13
Composés contenant des éléments du 7ème groupe de la classification périodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
15
Composés contenant des éléments du 8ème groupe de la classification périodique
04
Composés du nickel
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
15
Composés contenant des éléments du 8ème groupe de la classification périodique
06
Composés du cobalt
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06
caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18
à partir de composés organométalliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants : ADEKA CORPORATION[JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventeurs : YOSHINO, Tomoharu; JP
ENZU, Masaki; JP
NISHIDA, Akihiro; JP
SUGIURA, Nana; JP
Mandataire : SOGA, Michiharu; JP
Données relatives à la priorité :
2015-12184017.06.2015JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NOVEL COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION, AND THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN NOUVEAU COMPOSÉ, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM FIN, ET FILM FIN
(JA) 新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé :
(EN) This novel compound is characterized by being represented by general formula (I) or (II). [In the formula, R1 and R2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and a hydrogen atom in the hydrocarbon group may be substituted by Si(R3)3, with the proviso that R1 and R2 are different groups. R3 represents a methyl group or an ethyl group. M represents a metal atom or a silicon atom. n represents an integer from 1 to 4.]
(FR) La présente invention concerne un nouveau composé caractérisé en ce qu’il est représenté par la formule générale (I) ou (II). [Dans la formule, R1 et R2 représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarbure ayant 1 à 12 atomes de carbone, et un atome d’hydrogène dans le groupe hydrocarbure peut être substitué par Si(R3)3, à condition que R1 et R2 soient des groupes différents. R3 représente un groupe méthyle ou un groupe éthyle. M représente un atome de métal ou un atome de silicium. n représente un nombre entier d’une valeur de 1 à 4.]
(JA) 本発明の新規化合物は、下記一般式(I)または(II)で表されることを特徴とする: [式中、R1及びR2は、各々独立に炭素原子数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基の水素原子はSi(R33で置換されている場合もある。ただし、R1とR2は、異なる基である。R3は、メチル基またはエチル基を表し、Mは、金属原子またはケイ素原子を表し、nは、1~4の整数を表す。]
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)