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1. (WO2016203885) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET REFROIDISSEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/203885 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/064457
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.05.2016
CIB :
H01L 23/473 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
46
impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
473
par une circulation de liquides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
7
Détails de construction communs à différents types d'appareils électriques
20
Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs : INOUE Daisuke; JP
Mandataire : HONDA Ichiro; JP
Données relatives à la priorité :
2015-12183117.06.2015JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND COOLER
(FR) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET REFROIDISSEUR
(JA) パワー半導体モジュール及び冷却器
Abrégé :
(EN) This power semiconductor module is provided with: a laminate substrate; a semiconductor element joined to the front surface of the laminate substrate; a base plate 14 joined to the rear surface of the laminate substrate; a cooling case 15; and a heat sink 17 housed in the cooling case 15. The cooling case 15 has a bottom wall 15a and a side wall 15b formed around the bottom wall 15a, and has a cooling-liquid inlet portion 15c and a cooling-liquid outlet portion 15d which are each connected to either the bottom wall 15a or the side wall 15b. One end of the side wall 15b is joined to the rear surface of the base plate 14 such that a cooling liquid can flow into a space surrounded by the base plate 14, the bottom wall 15a, and the side wall 15b. The power semiconductor module is further provided with a spacer 20 near the inlet portion 15c and/or the outlet portion 15d of the cooling case 15.
(FR) L'invention concerne un module semiconducteur de puissance comprenant : un substrat stratifié ; un élément semiconducteur attaché à la surface avant du substrat stratifié ; une plaque de base (14) attachée à la surface arrière du substrat stratifié ; une enveloppe de refroidissement (15) ; et un dissipateur thermique (17) logé dans l'enveloppe de refroidissement (15). L'enveloppe de refroidissement (15) comprend une paroi inférieure (15a) et une paroi latérale (15b) formée autour de la paroi inférieure (15a), et comprend une portion d'entrée de liquide de refroidissement (15c) et une portion de sortie de liquide de refroidissement (15d) qui sont chacune reliées soit à la paroi inférieure (15a), soit à la paroi latérale (15b). Une extrémité de la paroi latérale (15b) est attachée à la surface arrière de la plaque de base (14) de sorte qu'un liquide de refroidissement peut s'écouler dans un espace entouré par la plaque de base (14), la paroi inférieure (15a) et la paroi latérale (15b). Le module semiconducteur de puissance est en outre pourvu d'une entretoise (20) à proximité de la portion d'entrée (15c) et/ou la portion de sortie (15d) de l'enveloppe de refroidissement (15).
(JA) パワー半導体モジュールは、積層基板と、積層基板のおもて面に接合された半導体素子と、積層基板の裏面に接合されたベース板14と、冷却ケース15と、冷却ケース15内に収容されたヒートシンク17とを備える。冷却ケース15は、底壁15a及び底壁15aの周りに形成された側壁15bを有し、かつ、底壁15a及び側壁15bのいずれかに接続した冷却液の入口部15c及び出口部15dを有し、側壁15bの一端がベース板14の裏面に接合され、ベース板14、底壁15a及び側壁15bにより囲まれた空間内に冷却液を流通可能になっている。パワー半導体モジュールは、冷却ケース15の入口部15c及び出口部15dのうち少なくとも一方の近傍に、スペーサ20を更に備えている。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)