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1. (WO2016203751) ÉLÉMENT DE REDRESSEMENT, ÉLÉMENT DE COMMUTATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE REDRESSEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203751    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/002837
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 13.06.2016
CIB :
H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/88 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventeurs : TADA, Munehiro; (JP).
BANNO, Naoki; (JP).
IGUCHI, Noriyuki; (JP)
Mandataire : SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-122892 18.06.2015 JP
Titre (EN) RECTIFYING ELEMENT, SWITCHING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING RECTIFYING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE REDRESSEMENT, ÉLÉMENT DE COMMUTATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE REDRESSEMENT
(JA) 整流素子、スイッチング素子および整流素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a rectifying element wherein current-voltage characteristics are improved. The rectifying element has: a first electrode and a second electrode; a rectifying layer that is provided between the first electrode and the second electrode; a first buffer layer that is provided between the first electrode and the rectifying layer; and a second buffer layer that is provided between the second electrode and the rectifying layer. The work functions of the first buffer layer and the second buffer layer are smaller than those of the first electrode and the second electrode, and the relative dielectric constants of the first buffer layer and the second buffer layer are larger than the relative dielectric constant of the rectifying layer.
(FR)L'invention concerne un élément de redressement dont la caractéristique courant-tension est améliorée. L'élément de redressement comprend : une première électrode et une seconde électrode ; une couche de redressement qui est disposée entre la première électrode et la seconde électrode ; une première couche tampon qui est disposée entre la première électrode et la couche de redressement ; et une seconde couche tampon qui est disposée entre la seconde électrode et la couche de redressement. Les travaux de sortie de la première couche tampon et de la seconde couche tampon sont inférieurs à ceux de la première électrode et de la seconde électrode, et les constantes diélectriques relatives de la première couche tampon et de la seconde couche tampon sont supérieures à la constante diélectrique relative de la couche de redressement.
(JA)電流-電圧特性を改善した整流素子を提供する。整流素子は、第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極の間に設けられた整流層と、第1電極と整流層の間に設けられた第1バッファ層と、第2電極と整流層の間に設けられた第2バッファ層と、を有し、第1バッファ層および第2バッファ層の仕事関数は第1電極および第2電極の仕事関数よりも小さく、第1バッファ層および第2バッファ層の比誘電率は整流層の比誘電率よりも大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)