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1. (WO2016203712) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PERMETTANT DE GÉNÉRER OU DE DÉTECTER DES ONDES TÉRAHERTZ
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N° de publication : WO/2016/203712 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/002497
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 23.05.2016
CIB :
H03B 7/08 (2006.01) ,H03B 7/14 (2006.01) ,H01S 5/10 (2006.01) ,H01Q 9/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
7
Production d'oscillations au moyen d'un élément actif ayant une résistance négative entre deux de ses électrodes
02
avec un élément déterminant la fréquence comportant des inductances et des capacités localisées
06
l'élément actif étant un dispositif à semi-conducteurs
08
l'élément actif étant une diode tunnel
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
7
Production d'oscillations au moyen d'un élément actif ayant une résistance négative entre deux de ses électrodes
12
avec un élément déterminant la fréquence comportant des inductances et des capacités réparties
14
l'élément actif étant un dispositif à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
9
Antennes électriquement courtes dont les dimensions ne sont pas supérieures à deux fois la longueur d'onde et constituées par des éléments rayonnants conducteurs actifs
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Inventeurs : KOYAMA, Yasushi; JP
Mandataire : ABE, Takuma; JP
Données relatives à la priorité :
2015-12040315.06.2015JP
2016-09625512.05.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE GENERATING OR DETECTING TERAHERTZ WAVES
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PERMETTANT DE GÉNÉRER OU DE DÉTECTER DES ONDES TÉRAHERTZ
Abrégé :
(EN) A semiconductor device that generates or detects terahertz waves includes a semiconductor layer that has a gain of the generated or detected terahertz waves; a first electrode connected to the semiconductor layer; a second electrode that is arranged at a side opposite to the side at which the first electrode is arranged with respect to the semiconductor layer and that is electrically connected to the semiconductor layer; a third electrode electrically connected to the second electrode; and a dielectric layer that is arranged around the semiconductor layer and the second electrode and between the first electrode and the third electrode and that is thicker than the semiconductor layer. The dielectric layer includes an area including a conductor electrically connecting the second electrode to the third electrode. The area is filled with the conductor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui génère ou détecte des ondes térahertz qui comprend une couche semi-conductrice qui présente un gain des ondes térahertz générées ou détectées ; une première électrode connectée à la couche semi-conductrice ; une deuxième électrode qui est agencée en correspondance d'un côté opposé au côté en correspondance duquel la première électrode est agencée par rapport à la couche semi-conductrice et qui est connectée électriquement à la couche semi-conductrice ; une troisième électrode connectée électriquement à la deuxième électrode ; et une couche diélectrique qui est agencée autour de la couche semi-conductrice et la deuxième électrode et entre la première électrode et la troisième électrode et qui est plus épaisse que la couche semi-conductrice. La couche diélectrique comprend une zone comprenant un conducteur connectant électriquement la deuxième électrode à la troisième électrode. La zone est remplie avec le conducteur.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)