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1. (WO2016203705) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203705    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/002392
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.05.2016
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
Inventeurs : MORINO, Tomoo; (JP)
Mandataire : KIN, Junhi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-122981 18.06.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: first elements (10 to 14) formed with a first component as a main component; second elements (20 to 24) formed with a second component as a main component; a heat sink (30) on which the first elements and the second elements are placed; a first joining layer (50) which electrically joins the first elements to the heat sink; a second joining layer (60) which electrically joins the second elements to the heat sink; and a molded resin (90) which covers and protects the first elements, the second elements and the heat sink. The physical sizes of the first elements and the second elements are set in such a way that the equivalent plastic strain increment of the first joining layer is greater than that of the second joining layer. By this means, in a semiconductor device provided with semiconductor elements formed using mutually different components, the elements can be thermally protected without the need to provide a temperature detecting means on the side on which the semiconductor elements formed using one of the components are provided.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant : des premiers éléments (10 à 14) formés avec un premier composant comme composant principal ; des seconds éléments (20 à 24) formés avec un second composant comme composant principal ; un dissipateur de chaleur (30) sur lequel les premiers éléments et les seconds éléments sont placés ; une première couche de liaison (50) qui relie électriquement les premiers éléments au dissipateur de chaleur ; une seconde couche de liaison (60) qui relie électriquement les seconds éléments au dissipateur de chaleur ; et une résine moulée (90) qui recouvre et protège les premiers éléments, les seconds éléments et le dissipateur de chaleur. Les tailles physiques des premiers éléments et des seconds éléments sont réglées de manière que l'incrément de déformation plastique équivalente de la première couche de liaison soit supérieur à celui de la seconde couche de liaison. Par ce moyen, dans un dispositif à semi-conducteur pourvu d'éléments à semi-conducteur formés à l'aide de composants mutuellement différents, les éléments peuvent être thermiquement protégés sans qu'il ne soit nécessaire de disposer un moyen de détection de température sur le côté sur lequel les éléments à semi-conducteur formés à l'aide de l'un des composants sont disposés.
(JA)半導体装置は、第1成分を主成分として形成された第1素子(10~14)と、第2成分を主成分として形成された第2素子(20~24)と、第1素子および第2素子が載置されるヒートシンク(30)と、第1素子とヒートシンクとを電気的に接合する第1接合層(50)と、第2素子とヒートシンクとを電気的に接合する第2接合層(60)と、第1素子、第2素子、およびヒートシンクを被覆して保護するモールド樹脂(90)を備える。第1素子および第2素子の体格は、第2接合層よりも第1接合層の相当塑性ひずみ増分が大きくなるように設定される。これにより、互いに異なる成分から構成される半導体素子を備える半導体装置において、一方の成分から構成される半導体素子側に温度検出手段を設けることなく、素子の熱的保護を行うことができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)