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1. (WO2016203681) PROCÉDÉ DE LAVAGE DE TRANCHE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203681    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/001778
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 28.03.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : ABE, Tatsuo; (JP).
IGARASHI, Kensaku; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-122558 18.06.2015 JP
Titre (EN) SILICON WAFER WASHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE LAVAGE DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの洗浄方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a silicon wafer washing method in which silicon wafers are immersed in ozonated water and washed after having been immersed in hydrofluoric acid. The silicon wafer washing method comprises, in the following order, a step of raising a silicon wafer out of a tank filled with hydrofluoric acid, a step of moving the silicon wafer over a tank filled with ozonated water, and a step of lowering and immersing the silicon wafer in the ozonated water, wherein the step of lowering and immersing the silicon wafer in the ozonated water comprises: a first stage, in which the silicon wafer is lowered to a point prior to where the bottom edge would make contact with the ozonated water; a second stage, in which the silicon wafer is lowered at a slower speed than in the first stage, such that as the bottom edge of the silicon wafer makes contact with the ozonated water and is immersed therein, droplets of the hydrofluoric acid clinging to the lower edge portion disperse in the ozonated water and are thereby removed; and a third stage, in which the silicon wafer is lowered at a faster speed than in the second stage. As a result, the present invention provides a silicon wafer washing method that allows effective washing and improves localized surface roughness problems on silicon wafers.
(FR)La présente invention concerne un procédé de lavage de tranche de silicium au cours duquel des tranches de silicium sont immergées dans de l'eau ozonée et lavées après avoir été immergées dans de l'acide fluorhydrique. Le procédé de lavage de tranche de silicium comprend, dans l'ordre suivant, une étape consistant à soulever une tranche de silicium hors d'un réservoir rempli d'acide fluorhydrique, une étape consistant à déplacer la tranche de silicium au-dessus d'un réservoir rempli d'eau ozonée, et une étape consistant à abaisser et à immerger la tranche de silicium dans l'eau ozonée, laquelle étape consistant à abaisser et à immerger la tranche de silicium dans l'eau ozonée comprend : un premier étage, où la tranche de silicium est abaissée jusqu'à un point situé avant l'endroit où le bord inférieur peut entrer en contact avec l'eau ozonée ; un deuxième étage, où la tranche de silicium est abaissée à une vitesse inférieure à celle du premier étage, de telle sorte qu'au fur et à mesure que le bord inférieur de la tranche de silicium entre en contact avec l'eau ozonée et est immergée à l'intérieur de celle-ci, les gouttelettes de l'acide fluorhydrique s'accrochant à la partie de bord inférieur se dispersent dans l'eau ozonée et sont ainsi éliminées ; et un troisième étage, où la tranche de silicium est abaissée à une vitesse supérieure à celle du deuxième étage. En conséquence, la présente invention concerne un procédé de lavage de tranche de silicium qui permet un lavage efficace et améliore les problèmes de rugosité de surface localisés sur les tranches de silicium.
(JA)本発明は、シリコンウェーハをフッ酸に浸漬した後、オゾン水に浸漬して洗浄するシリコンウェーハの洗浄方法であって、シリコンウェーハをフッ酸を充填した槽から引き上げる工程と、オゾン水を充填した槽の上に移動させる工程と、下降させてオゾン水に浸漬させる工程をこの順に有し、下降させてオゾン水に浸漬する工程は、シリコンウェーハをその下端がオゾン水に接触する前まで下降させる第一の段階と、その下端がオゾン水に接触、浸漬してその下端のエッジ部に付着したフッ酸の液滴がオゾン水中に分散して除去されるように、シリコンウェーハの下降速度を第一の段階よりも低下させて下降させる第二の段階と、第二の段階の下降速度よりも速度を上げて下降させる第三の段階を有するシリコンウェーハの洗浄方法である。これにより、シリコンウェーハの局所的な表面粗さの悪化を改善し、効果的に洗浄を行うことができるシリコンウェーハの洗浄方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)