WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016203659) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203659    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070861
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 22.07.2015
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : NIPPON MICROMETAL CORPORATION [JP/JP]; 158-1 Oaza Sayamagahara, Iruma-shi, Saitama 3580032 (JP).
NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 16-3, Ginza 7-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Takashi; (JP).
ODA, Daizo; (JP).
HAIBARA, Teruo; (JP).
OISHI, Ryo; (JP).
SAITO, Kazuyuki; (JP).
UNO, Tomohiro; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-120509 15.06.2015 JP
Titre (EN) BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用ボンディングワイヤ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of achieving a balance between a proof stress ratio (=maximum proof stress divided by the 0.2% proof stress) of 1.1-1.6, and an increase in the bonding reliability of a ball bonding part under HTS of 175-200°C in a bonding wire for a semiconductor device, said bonding wire having a Cu alloy core and a Pd coating layer formed on the surface of the Cu alloy core. The bonding reliability of a ball bonding part under HTS is increased by including, in the wire, one or more of Ni, Zn, Rh, In, Ir, and Pt in a total proportion of 0.03-2 mass%. Among the crystal orientations in the lengthwise direction of the wire as found in the measurement of crystal orientations in relation to a cross-section of the core in a direction perpendicular to the wire axis of the bonding wire, the orientation proportion of crystal orientation<100>, for which the angular difference does not exceed 15 degrees relative to the lengthwise direction of the wire, is at least 50%. The proof stress ratio is kept at or below 1.6 by obtaining an average crystal grain size of 0.9-1.3 μm in a cross-section of the core in a direction perpendicular to the wire axis of the bonding wire.
(FR)La présente invention aborde le problème d'obtention d'un équilibre entre un rapport de limite conventionnelle d'élasticité (= limite conventionnelle d'élasticité maximale divisée par la limite conventionnelle d'élasticité 0,2 %) de 1,1 à 1,6, et une augmentation de la fiabilité de connexion d'une partie de soudure par écrasement de boule à hautes températures de 175 à 200 °C dans un fil de connexion pour un dispositif à semi-conducteur, ledit fil de connexion ayant une âme en alliage de Cu et une couche de revêtement de Pd formée sur la surface de l'âme en alliage de Cu. La fiabilité de connexion d'une partie de soudure par écrasement de boule à hautes températures est accrue en incluant, dans le fil, un ou plusieurs éléments parmi Ni, Zn, Rh, In, Ir, et Pt dans une proportion totale allant de 0,03 à 2 % en masse. Parmi les orientations de cristaux dans le sens de la longueur du fil que l'on trouve dans la mesure des orientations de cristaux par rapport à une section transversale de l'âme dans une direction perpendiculaire à l'axe de fil du fil de connexion, la proportion d'orientation de l'orientation<100> de cristaux, pour laquelle la différence angulaire ne dépasse pas 15 degrés par rapport au sens de la longueur du fil, est d'au moins 50 %. Le rapport de limite conventionnelle d'élasticité est maintenu à un niveau inférieur ou égal à 1,6 par l'obtention d'une dimension moyenne des grains cristallins de 0,9 à 1,3 µm dans une section transversale de l'âme dans une direction perpendiculaire à l'axe de fil du fil de connexion.
(JA)Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、175℃~200℃のHTSでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1~1.6の両立を図る。 ワイヤ中にNi、Zn、Rh、In、Ir、Ptの1種以上を総計で0.03~2質量%含有することによってHTSでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位<100>の方位比率を50%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9~1.3μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)