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1. (WO2016203585) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203585    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067507
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 17.06.2015
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : SHINCRON CO., LTD. [JP/JP]; 3-5, Minato Mirai 4-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208680 (JP)
Inventeurs : ISHIDA, Masataka; (JP).
HAYASHI, Tatsuya; (JP).
SUGAWARA, Takuya; (JP).
AGATSUMA, Shinya; (JP).
MIYAUCHI, Mitsuhiro; (JP).
JIANG, Yousong; (JP).
NAGAE, Ekishu; (JP)
Mandataire : OHKURA, Koichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法及び成膜装置
Abrégé : front page image
(EN)This method is a film forming method comprising forming a thin film by performing plasma treatment in which a plurality of substrates S to which a voltage is applied are sequentially introduced to a predetermined position in a film forming region 20 reached by sputtering particles released from targets 29a, 29b by a sputtering plasma from a sputtering electrical discharge, whereby the sputtering particles reach the surface of the substrates S and accumulate thereon, and ions in the sputtering plasma impinge on the substrates S or a deposit of the sputtering particles, deposition of sputtering particles and plasma treatment by a sputtering plasma being performed in the film forming region 20 formed in a vacuum container 11 having an exhaust system, and an intermediate thin film being formed, after which the substrates S are moved into a reaction region 60 disposed so as to be spatially separated from the film forming region 20, plasma re-treatment is performed in which ions in a plasma separate from the sputtering plasma are caused to impinge on the intermediate thin film, and a thin film is formed.
(FR)La présente invention concerne un procédé qui est un procédé de formation de film consistant à former un film mince par mise en œuvre d'un traitement au plasma dans lequel une pluralité de substrats S, à laquelle une tension est appliquée, est introduite séquentiellement à une position prédéterminée dans une région 20 de formation de film atteinte par des particules de pulvérisation libérées depuis des cibles 29a, 29b par un plasma de pulvérisation en provenance d'une décharge électrique de pulvérisation, ce qui permet aux particules de pulvérisation d'atteindre la surface des substrats S et de s'accumuler sur ceux-ci, et les ions dans le plasma de pulvérisation frappent les substrats S ou un dépôt de particules de pulvérisation, ledit dépôt de particules de pulvérisation et le traitement par plasma à l'aide d'un plasma de pulvérisation étant réalisés dans la région de formation de film 20 formée dans un récipient à vide 11 comportant un système d'échappement, et un film mince intermédiaire étant formé, après quoi les substrats S sont déplacés dans une région réactionnelle 60 disposée de manière à être séparée spatialement de la région 20 de formation de film, le retraitement de plasma est effectué dans celle où les ions dans un plasma, qui se séparent du plasma de pulvérisation, sont amenés à se projeter sur la couche mince intermédiaire, et un film mince est formé.
(JA)本発明方法は、電圧が印加されている複数の基板Sを、順次、スパッタ放電によるスパッタリングプラズマによってターゲット29a,29bから放出されたスパッタ粒子が到達する成膜領域20内の所定位置に導入することにより、基板Sの表面にスパッタ粒子を到達させて堆積させるとともに、スパッタリングプラズマ中のイオンを基板Sもしくはスパッタ粒子の堆積物に衝突させるプラズマ処理を行い、薄膜を形成する成膜方法であり、排気系を有する真空容器11内に形成された成膜領域20内でスパッタ粒子の堆積とスパッタリングプラズマによるプラズマ処理を行い中間薄膜を形成した後、成膜領域20に対して空間的に分離して配置された反応領域60内に基板Sを移動させ、中間薄膜にスパッタリングプラズマとは別のプラズマ中のイオンを衝突させるプラズマ再処理を行い、薄膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)