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1. (WO2016203545) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203545    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067305
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2015
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : KAWASE, Yusuke; (JP)
Mandataire : TAKADA, Mamoru; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized by comprising: a step for forming a second-electroconductivity-type layer on the upper-surface side of a first-electroconductivity-type substrate; and a buffer layer formation step for performing an ion implantation step for fixing the ion implantation angle in relation to the bottom surface of the substrate and ion-implanting a first-electroconductivity-type impurity on the bottom-surface side of the substrate, the ion implantation step being performed a plurality of times so that the ion implantation angle in the following ion implantation step is smaller than that in the previous ion implantation step; and the multiple ion implantation steps are performed at a fixed acceleration energy in the buffer layer formation step.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de formation d'une couche du type à seconde conductivité électrique sur le côté de surface supérieure d'un substrat du type à première conductivité électrique ; et une étape de formation d'une couche tampon pour la mise en œuvre d'une étape d'implantation d'ions pour la fixation de l'angle d'implantation des ions par rapport à la surface inférieure du substrat et pour l'implantation d'ions dans une impureté du type à première conductivité électrique sur le côté de la surface inférieure du substrat, cette étape d'implantation d'ions étant exécutée de multiples fois, de telle sorte que l'angle d'implantation d'ions dans l'étape suivante d'implantation d'ions est plus petit que celui de l'étape précédente d'implantation d'ions ; et les multiples étapes d'implantation d'ions sont exécutées, dans l'étape de formation de la couche tampon, à une énergie d'accélération déterminée.
(JA)本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1導電型の基板の上面側に第2導電型の層を形成する工程と、該基板の下面に対するイオン注入角度を固定して該基板の下面側に第1導電型の不純物をイオン注入するイオン注入工程を、先のイオン注入工程よりも後のイオン注入工程のイオン注入角度が小さくなるようにして、複数回行うバッファ層形成工程と、を備え、該バッファ層形成工程では、複数回の該イオン注入工程を一定の加速エネルギで行うことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)