Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2016203545) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2016/203545    International Application No.:    PCT/JP2015/067305
Publication Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jun 17 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 29/739
H01L 21/265
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: KAWASE, Yusuke
川瀬 祐介
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de formation d'une couche du type à seconde conductivité électrique sur le côté de surface supérieure d'un substrat du type à première conductivité électrique ; et une étape de formation d'une couche tampon pour la mise en œuvre d'une étape d'implantation d'ions pour la fixation de l'angle d'implantation des ions par rapport à la surface inférieure du substrat et pour l'implantation d'ions dans une impureté du type à première conductivité électrique sur le côté de la surface inférieure du substrat, cette étape d'implantation d'ions étant exécutée de multiples fois, de telle sorte que l'angle d'implantation d'ions dans l'étape suivante d'implantation d'ions est plus petit que celui de l'étape précédente d'implantation d'ions ; et les multiples étapes d'implantation d'ions sont exécutées, dans l'étape de formation de la couche tampon, à une énergie d'accélération déterminée.