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1. (WO2016202938) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN EMPILEMENT DU TYPE PREMIÈRE ÉLECTRODE / COUCHE ACTIVE / DEUXIÈME ÉLECTRODE
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N° de publication : WO/2016/202938 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/063922
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2016
CIB :
H01L 51/44 (2006.01) ,H01L 51/52 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; 25, rue Leblanc - Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris, FR
ISORG[FR/FR]; 7, Parvis Louis Néel Bâtiment de haute Technologie 38000 Grenoble, FR
TRIXELL[FR/FR]; Z.I. Centr'Alp 38430 Moirans, FR
Inventeurs : VERILHAC, Jean-Marie; FR
CHARLOT, Simon; FR
Mandataire : COLLET, Alain; FR
Données relatives à la priorité :
155548016.06.2015FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A FIRST ELECTRODE/ACTIVE LAYER/SECOND ELECTRODE STACK
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN EMPILEMENT DU TYPE PREMIÈRE ÉLECTRODE / COUCHE ACTIVE / DEUXIÈME ÉLECTRODE
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a method for producing a first electrode/active layer/second electrode stack intended for an electronic device, in particular an organic photodetector or an organic solar cell, comprising the following steps: (a) depositing a first layer (2) of conductive material on the front face of a substrate, in order to form the first electrode; (b) depositing an active layer (3), in the form of an organic semiconductor thin layer, said layer comprising non-continuous areas. The method is characterised in that it also comprises the following steps: (d) depositing a thin layer of resin (4) on the face of the stack opposite the substrate which is at least partially transparent; (e) insulating the resin layer (4) by the rear face (10) of said substrate; (f) developing the resin layer; and (g) depositing a second layer (5) of conductive material to form the second conducting electrode.
(FR) L'invention concerne un procédé de réalisation d'un empilement du type première électrode/couche active/deuxième électrode destiné à un dispositif électronique notamment du type photodétecteur organique ou cellule solaire organique, comportant les étapes suivantes : (a) dépôt d'une première couche (2) de matériau conducteur sur la face avant d'un substrat, pour former la première électrode, (b) dépôt d'une couche active (3), sous la forme d'une couche mince semi-conductrice organique, cette couche comportant des zones non continues, caractérisé en ce que, ce procédé comporte également les étapes suivantes : (d) dépôt d'une couche de résine (4) sur la face de l'empilement opposée au substrat qui est au moins partiellement transparent, (e) insolation de la couche de résine (4) par la face arrière (10) dudit substrat, (f) développement de la couche de résine et (g) dépôt d'une deuxième couche (5) de matériau conducteur pour former la deuxième électrode conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)