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1. (WO2016202934) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/202934    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/063917
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2016
CIB :
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : HERRMANN, Siegfried; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102015109852.0 19.06.2015 DE
Titre (DE) LEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Abrégé : front page image
(DE)Es ist eine Leuchtdiode (100) angegeben, die einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Strahlungsseite (16), einer der Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Kontaktseite (12) und quer zur Strahlungsseite (16) verlaufenden Seitenflächen (15) aufweist. Auf der Kontaktseite (12) ist ein erstes Kontaktelement (10) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (1) angebracht. Ferner umfasst die Leuchtdiode (100) einen transparenten Vollkörper (2) sowie ein Abdeckelement (3). Im bestimmungsgemäßen Betrieb emittiert der Halbleiterchip (1) elektromagnetische Strahlung über die Strahlungsseite (16) entlang einer quer zur Strahlungsseite (16) verlaufenden Hauptemissionsrichtung (17). Dabei ist der Halbleiterchip (1) in den Vollkörper (2) eingebettet, wobei die Seitenflächen (15) und die Strahlungsseite (16) von dem Vollkörper (2) formschlüssig bedeckt sind. Der Vollkörper (2) verbreitert sich entlang der Hauptemissionsrichtung (17). Das Abdeckelement (3) ist dem Vollkörper (2) in Hauptemissionsrichtung (17) nachgeordnet und direkt auf den Vollkörper (2) aufgebracht. Eine dem Vollkörper (2) abgewandte Seite des Abdeckelements (3) ist als Strahlungsaustrittsfläche (30) der Leuchtdiode (100) ausgebildet. Das erste Kontaktelement (10) liegt im unmontierten und/oder nicht kontaktierten Zustand der Leuchtdiode (100) frei.
(EN)The invention relates to a light-emitting diode (100) comprising an optoelectronic semiconductor chip (1) having a radiation side (16), a contact side (12) opposite the radiation side (16) and side surfaces (15) extending transversely with respect to the radiation side (16). A first contact element (10) for external electrical contacting of the semiconductor chip (1) is arranged on the contact side (12). The light-emitting diode (100) further comprises a transparent solid body (2) and a covering element (3). In the intended operational use, the semiconductor chip (1) emits electromagnetic radiation over the radiation side (16) along a main emission direction (17) extending transversely with respect to the radiation side (16). The semiconductor chip (1) is embedded in the solid body (2), wherein the solid body (2) positively covers the side surfaces (15) and the radiation side (16). The solid body (2) widens along the main emission direction (17). The covering element (3) is arranged downstream of the solid body (2) in the main emission direction (17) and is arranged directly on the solid body (2). A side of the covering element (3) facing away from the solid body (2) is designed as a radiation exit surface (30) of the light-emitting diode (100). The first contact element (10) is exposed in the unmounted and/or non-contacted state of the light-emitting diode (100).
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente (100), qui comporte une puce semi-conductrice (1) optoélectronique pourvue d'une face de rayonnement (16), une face de contact (12) opposée à la face de rayonnement (16) et des surfaces latérales (15) s'étendant transversalement à la face de rayonnement (16). Un premier élément de contact (10) permettant la mise en contact électrique externe de la puce semi-conductrice (1) est monté sur la face de contact (12) . La diode électroluminescente (100) comprend en outre un corps plein (2) transparent ainsi qu'un élément de recouvrement (3). Lors d'un fonctionnement conforme à l'usage prévu, la puce semi-conductrice (1) émet un rayonnement électromagnétique par l'intermédiaire de la face de rayonnement (16) le long d'une direction d'émission principale (17) s'étendant transversalement à la face de rayonnement (16). La puce semi-conductrice (1) est intégrée dans le corps plein (2), les surfaces latérales (15) et la face de rayonnement (16) étant recouvertes du corps plein (2) par coopération de formes. Le corps plein (2) s'élargit le long de la direction d'émission principale (17). L'élément de recouvrement (3) est monté en aval du corps plein (2) dans la direction d'émission principale (17) et est appliqué directement sur le corps plein (2). Une face de l'élément de recouvrement (3) opposée au corps plein (2) est réalisée sous la forme d'une surface de sortie de rayonnement (30) de la diode électroluminescente (100). Le premier élément de contact (10), lorsque la diode électroluminescente (100) se trouve dans l'état non monté ou non mis en contact, est apparent.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)