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1. (WO2016202899) PROCÉDÉ PERMETTANT D'OBTENIR SUR UN SUBSTRAT CRISTALLIN UNE COUCHE SEMI-POLAIRE DE NITRURE OBTENU AVEC L'UN AU MOINS PARMI LES MATÉRIAUX SUIVANTS :GALLIUM (GA), INDIUM (IN) ET ALUMINIUM (AL)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/202899    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/063824
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 Rue Michel Ange 75016 Paris (FR)
Inventeurs : EL KHOURY MAROUN, Michel; (FR).
FEUILLET, Guy; (FR).
VENNEGUES, Philippe; (FR).
ZUNIGA PEREZ, Jesus; (FR)
Mandataire : HAUTIER, Nicolas; (FR)
Données relatives à la priorité :
15 55582 18.06.2015 FR
1561618 30.11.2015 FR
Titre (EN) METHOD MAKING IT POSSIBLE TO OBTAIN ON A CRYSTALLINE SUBSTRATE A SEMI-POLAR LAYER OF NITRIDE OBTAINED WITH AT LEAST ONE OF THE FOLLOWING MATERIALS: GALLIUM (GA), INDIUM (IN) AND ALUMINIUM (AL)
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'OBTENIR SUR UN SUBSTRAT CRISTALLIN UNE COUCHE SEMI-POLAIRE DE NITRURE OBTENU AVEC L'UN AU MOINS PARMI LES MATÉRIAUX SUIVANTS :GALLIUM (GA), INDIUM (IN) ET ALUMINIUM (AL)
Abrégé : front page image
(EN)A subject of the invention relates to a method making it possible to obtain, on an upper surface of a crystalline substrate (310), a semi-polar layer (480) of nitride material comprising any one from among gallium, aluminium or indium, said method comprising the following steps: obtaining, on the upper surface of the crystalline substrate, a plurality of parallel grooves (320, 410, 420) which extend in a first direction, one of said two opposite facets (330) exhibiting a {111} crystal orientation; etching a plurality of parallel slices (450) which extend in a second direction that has undergone a rotation with respect to said first direction of the grooves (320, 410, 420) in such a way as to obtain individual facets (330') exhibiting a {111} crystal orientation; epitaxial growth of said material (480) from said individual facets (330').
(FR)Un objet de l'invention concerne un procédé permettant d'obtenir, sur une surface supérieure d'un substrat cristallin (310), une couche semi-polaire (480) de matériau de nitrure comprenant l'un quelconque parmi le gallium, l'aluminium ou l'indium, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Obtenir, sur la surface supérieure du substrat cristallin, une pluralité de rainures parallèles (320, 410, 420) qui s'étendent dans une première direction l'une desdites deux facettes opposées (330) présentant une orientation cristalline {111}; Graver une pluralité de tranchées parallèles (450) qui s'étendent dans une seconde direction ayant subi une rotation par rapport à ladite première direction des rainures (320, 410, 420) de manière à obtenir des facettes individuelles (330') présentant une orientation cristalline {111}; Croissance épitaxiale dudit matériau (480) à partir desdites facettes individuelles (330').
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)