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1. (WO2016202853) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/202853    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/063744
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 15.06.2016
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : GOTSCHKE, Tobias; (DE).
GALLER, Bastian; (DE).
OFF, Jürgen; (DE).
BERGBAUER, Werner; (DE).
LEHNHARDT, Thomas; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 109 761.3 18.06.2015 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NITRID-HALBLEITERBAUELEMENTS UND NITRID-HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND A NITRIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitrid- Halbleiterbauelements (100) angegeben, umfassend die Schritte : - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Aufwachsoberfläche (10), die durch eine ebene Fläche (11) mit einer Vielzahl dreidimensional ausgeformter Oberflächenstrukturen (12) auf der ebenen Fläche (11) gebildet wird, - Aufwachsen einer Nitrid-basierten Halbleiterschichtenfolge (30) auf der Aufwachsoberfläche (10), wobei das Aufwachsen selektiv auf einer Anwachsfläche (13) des Aufwachssubstrats beginnt, und wobei die Anwachsfläche (13) kleiner als 45 % der Aufwachsoberfläche (10) ist. Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbares Nitrid- Hableiterbauelement (100) beschrieben.
(EN)The invention relates to a method for producing a nitride semiconductor component (100), comprising the steps of: - providing a growth substrate (1) having a growth surface (10) formed from a planar area (11) with a plurality of three-dimensionally shaped surface structures (12) on said planar area (11), - growing a nitride-based semiconductor layer sequence (30) on the growth surface (10), growth beginning selectively on a growth area (13) of said growth substrate, and the growth area (13) being less than 45% of the growth surface (10). The invention also relates to a nitride semiconductor component (100) which can be produced according to said method.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur à base de nitrure (100) qui comprend les étapes consistant à : - produire un substrat de croissance (1) pourvu d’une surface de croissance (10) qui est formée par une surface plane (11) pourvue d’une pluralité de structures de surface tridimensionnelles (12) sur la surface plane (11), - faire croître une succession de couches de semi-conducteur à base de nitrure (30) sur la surface de croissance (10). La croissance commence sélectivement sur une face de croissance (13) du substrat de croissance et la face de croissance (13) est inférieure à 45 % de la surface de croissance (10). L’invention concerne en outre un composant semi-conducteur à base de nitrure (100) pouvant être fabriqué avec le procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)