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1. (WO2016202387) PROCÉDÉ DE MESURE DE TAUX DE DÉPÔT ET SYSTÈME DE CONTRÔLE DE TAUX DE DÉPÔT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/202387    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/063636
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 17.06.2015
CIB :
C23C 14/24 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01), G05B 21/02 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US).
DIEGUEZ-CAMPO, Jose Manuel [ES/DE]; (DE) (US only).
LANDGRAF, Heike [DE/DE]; (DE) (US only).
KOCH, Thomas [DE/DE]; (DE) (US only).
BANGERT, Stefan [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventeurs : DIEGUEZ-CAMPO, Jose Manuel; (DE).
LANDGRAF, Heike; (DE).
KOCH, Thomas; (DE).
BANGERT, Stefan; (DE)
Mandataire : ZIMMERMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Josephspitalstr. 15 80331 München (DE)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MEASURING A DEPOSITION RATE AND DEPOSITION RATE CONTROL SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE TAUX DE DÉPÔT ET SYSTÈME DE CONTRÔLE DE TAUX DE DÉPÔT
Abrégé : front page image
(EN)A method (100) for measuring a deposition rate of evaporated material is described. The method includes measuring (110) the deposition rate with a time interval ∆T between a first measurement M1 and a second measurement M2, and adjusting (120) the time interval ∆T dependent on the measured deposition rate. Further, a deposition rate control system (200) is described. The deposition rate control system includes a deposition rate measurement assembly (210) for measuring a deposition rate of the evaporated material, and a controller (220) connected to the deposition rate measurement assembly (210) and to an evaporation source (300), wherein the controller is configured to provide a control signal to the deposition rate measurement assembly (210).
(FR)On décrit un procédé (100) de mesure d'un taux de dépôt d'un matériau évaporé. Le procédé consiste à mesurer (110) le taux de dépôt à l'intervalle de temps ∆T entre une première mesure M1 et une seconde mesure M2, et à ajuster (120) l'intervalle de temps ∆T en fonction du taux de dépôt mesuré. On décrit en outre un système de contrôle de taux de dépôt (200). Le système de contrôle de taux de dépôt comprend un ensemble de mesure de taux de dépôt (210) pour mesurer un taux de dépôt du matériau évaporé, et un dispositif de commande (220) relié à l'ensemble de mesure de taux de dépôt (210) et à une source d'évaporation (300). Le dispositif de commande est configuré pour transmettre un signal de commande à l'ensemble de mesure de taux de dépôt (210).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)