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N° de publication : WO/2016/202146 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/083038
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 23.05.2016
CIB :
G02F 1/225 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
21
par interférence
225
dans une structure de guide d'ondes optique
Déposants : ZTE CORPORATION[CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Inventeurs : SHANG, Dongdong; CN
Mandataire : AFD CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAW OFFICE; Suite B 1601A, 8 Xue Qing Rd.Haidian Beijing 100192, CN
Données relatives à la priorité :
201510347224.419.06.2015CN
Titre (EN) SILICON-BASED MODULATOR
(FR) MODULATEUR À BASE DE SILICIUM
(ZH) 一种硅基调制器
Abrégé :
(EN) Provided is a silicon-based modulator, comprising: optical path selectors (102, 103), two sets of waveguides (105, 107; 106, 108), and an optocoupler (104); said optical path selectors (102, 103) are set to receive input light, and under the control of an electrical signal, the light is controlled to be inputted to the first set of waveguides (105, 107) or inputted to the second set of waveguides (106, 108); one end of said first set of waveguides (105, 107) and second set of waveguides (106, 108) is connected to said optical path selectors (102, 103), and the other end is connected to said optocoupler (104); the first set of waveguides (105, 107) or second set of waveguides (106, 108) output the light to the optocoupler (104), and the optocoupler (104) couples and outputs it; the optical path of the first set of waveguides (105, 107) is not equal to the optical path of the second set of waveguides (106, 108), and the optical path difference corresponds to the phase difference to be obtained. Modulation efficiency is high, modulation speed is high, the extinction ratio is high, and silicon chip volume may be reduced.
(FR) L’invention concerne un modulateur à base de silicium, comprenant : des sélecteurs de chemin optique (102, 103), deux ensembles de guides d’ondes (105, 107 ; 106, 108), et un coupleur optoélectronique (104) ; lesdits sélecteurs de chemin optique (102, 103) sont réglés pour recevoir de la lumière d’entrée, et sous la commande d’un signal électrique, la lumière est commandée pour entrer dans le premier ensemble de guides d’ondes (105, 107) ou pour entrer dans le deuxième ensemble de guides d’ondes (106, 108) ; une extrémité dudit premier ensemble de guides d’ondes (105, 107) et dudit deuxième ensemble de guides d’ondes (106, 108) est connectée auxdits sélecteurs de chemin optique (102, 103), et l’autre extrémité est connectée audit coupleur optoélectronique (104) ; le premier ensemble de guides d’ondes (105, 107) ou le deuxième ensemble de guides d’ondes (106, 108) envoie la lumière au coupleur optoélectronique (104), et le coupleur optoélectronique (104) couple et émet la lumière ; le chemin optique du premier ensemble de guides d’ondes (105, 107) n’est pas égal au chemin optique du deuxième ensemble de guides d’ondes (106, 108), et la différence de chemin optique correspond à la différence de phase qui doit être obtenue. L’efficacité de modulation est élevée, la vitesse de modulation est élevée, le ratio d’extinction est élevé, et le volume de la puce de silicium peut être réduit.
(ZH) 一种硅基调制器,包括:光路选择器(102,103)、两组波导(105,107;106,108)和光耦合器(104),其中,所述光路选择器(102,103)设置为接收输入光,在电信号的控制下,控制光输入到第一组波导(105,107)或者输入到第二组波导(106,108);所述第一组波导(105,107)和所述第二组波导(106,108),一端与所述光路选择器(102,103)连接,另一端连接所述光耦合器(104),所述第一组波导(105,107)或所述第二组波导(106,108)将光输出给所述光耦合器(104),由所述光耦合器(104)耦合输出,所述第一组波导(105,107)和所述第二组波导(106,108)的光程不相等,且其光程差与待获得的相位差相对应。具有高调制效率,高调制速率,高消光比的特点,并且可以节省硅芯片的体积。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)