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1. (WO2016202021) RÉSEAU DE MICROÉLECTRODE NEURALE FLEXIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/202021    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/076183
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 12.03.2016
CIB :
A61N 1/04 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN HUAKE ANYCHECK INFORMATION TECHNOLOGIES LTD [CN/CN]; 3B,Bldg B1, Digital-Tech Park, High-Tech South 7th Road, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Guanjing; (CN).
CHEN, Xingming; (CN).
GE, Xinke; (CN)
Données relatives à la priorité :
201520407229.7 13.06.2015 CN
Titre (EN) FLEXIBLE NEURAL MICROELECTRODE ARRAY
(FR) RÉSEAU DE MICROÉLECTRODE NEURALE FLEXIBLE
(ZH) 一种柔性神经微电极阵列
Abrégé : front page image
(EN)A flexible neural microelectrode array comprises a flexible substrate (1), an insulation layer (2), a microelectrode unit (3), conducting wires (4) and lead soldering joints (5). The microelectrode units (3), the conducting wires (4) and the lead soldering joints (5) are provided on the flexible substrate (1). The microelectrode units (3) and the lead soldering joints (5) are connected by the conducting wires (4). The insulation layer (2) covers the flexible substrate (1). The microelectrode unit (3) penetrates and is exposed from the insulation layer (2). The flexible substrate (1) is provided with a plurality of hollow protrusions (7) that penetrates and is exposed from the insulation layer (2). The microelectrode units (3) are provided on the hollow protrusions (7) of the flexible substrate (1). An adhesion layer (6) is provided on the hollow protrusions (7) on the insulation layer (2). The microelectrode units (3) are provided on the adhesion layer (6), so as to effectively reduce contact resistance and mechanical strength of microelectrodes.
(FR)L'invention concerne un réseau de microélectrode neurale souple, qui comprend un substrat flexible (1), une couche d'isolation (2), une unité de microélectrode (3), des fils conducteurs (4) et des joints par soudure en plomb (5). Les unités de microélectrode (3), les fils conducteurs (4) et les joints par soudure en plomb (5) sont agencés sur le substrat flexible (1). Les unités de microélectrode (3) et les joints par soudure en plomb (5) sont connectés par les fils conducteurs (4). La couche d'isolation (2) recouvre le substrat flexible (1). L'unité de microélectrode pénètre la couche d'isolation (2)et est exposée (3) à partir de cette dernière. Le substrat flexible (1) est pourvu d'une pluralité de protubérances creuses (7) qui pénètrent la couche d'isolation (2) et sont exposées à partir de cette dernière. Les unités de microélectrode (3) sont agencées sur les protubérances creuses (7) du substrat flexible (1). Une couche d'adhésion (6) est agencée sur les protubérances creuses (7) sur la couche d'isolation (2). Les unités de microélectrode (3) sont agencées sur la couche d'adhésion (6), de manière à réduire efficacement la résistance de contact et la résistance mécanique de microélectrodes.
(ZH)一种柔性神经微电极阵列,包括柔性基底(1)、绝缘层(2)、微电极单元(3)、导线(4)和引线焊点(5),微电极单元(3)、导线(4)和引线焊点(5)设置在柔性基底(1)上,微电极单元(3)与引线焊点(5)之间通过导线(4)连接,绝缘层(2)覆盖在柔性基底(1)上,微电极单元(3)透过外露于绝缘层(2)外露,柔性基底(1)上设有多个透过外露于绝缘层(2)的空心状凸起(7),微电极单元(3)设置在柔性基底(1)的空心状凸起(7)上,在所述的绝缘层(2)的空心状凸起(7)上设有粘附层(6),所述的微电极单元(3)设置在所述的粘附层(6)上,能够有效降低接触阻抗和微电极的机械强度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)