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1. (WO2016201893) CIRCUIT DE COMPENSATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE CLASSE E ET PROCÉDÉ D'ACQUISITION DE PARAMÈTRE DE DISPOSITIF CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/201893 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/095527
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 25.11.2015
CIB :
H03F 3/217 (2006.01)
Déposants : CHINA COMMUNICATION MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; The East Part of 2nd Floor, No.37 Building, Chentian Industrial Zone 1st Baotian Road, Xixiang, Baoan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs : WU, Guangsheng; CN
MA, Jianguo; CN
CHENG, Qianfu; CN
ZHU, Shoukui; CN
WU, Haifeng; CN
Mandataire : SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE; 4th Fl. west (PO Box No.5), Old Shenzhen Special Zone Newspaper Building No. 1014 Shen Nan Rd.C., Futian Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201510334523.416.06.2015CN
Titre (EN) COMPENSATION CIRCUIT OF E-CLASS POWER AMPLIFIER AND DEVICE PARAMETER ACQUISITION METHOD THEREFOR
(FR) CIRCUIT DE COMPENSATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE CLASSE E ET PROCÉDÉ D'ACQUISITION DE PARAMÈTRE DE DISPOSITIF CORRESPONDANT
(ZH) 一种E类功率放大器的补偿电路及其器件参数获取方法
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to the field of power amplifiers. Provided are a compensation circuit of an E-class power amplifier and a device parameter acquisition method therefor. The compensation circuit of an E-class power amplifier comprises: a first inductor, connected to a transistor drain and a drain bias power supply; a second inductor, connected in parallel to the first inductor, and connected between the transistor drain and a second capacitor; and the second capacitor, connected between the second inductor and the drain bias power supply, thus achieving a compensation circuit using a discrete component. The present invention reduces, by means of the compensation circuit for an E-class power amplifier and the device parameter acquisition method therefor, the size of a micro-strip in the compensation circuit at a relatively low frequency.
(FR) La présente invention concerne le domaine des amplificateurs de puissance. La présente invention porte également sur un circuit de compensation d'un amplificateur de puissance de classe E et son procédé d'acquisition de paramètre de dispositif. Le circuit de compensation d'un amplificateur de puissance de classe E comprend : un premier inducteur, connecté à un drain de transistor et une alimentation électrique de polarisation de drain ; un second inducteur, connecté en parallèle au premier inducteur, et connecté entre le drain de transistor et un second condensateur ; et le second condensateur, connecté entre le second inducteur et l'alimentation électrique de polarisation de drain, ce qui permet d'obtenir un circuit de compensation utilisant un composant discret. La présente invention permet de réduire, au moyen du circuit de compensation pour un amplificateur de puissance de classe E et de son procédé d'acquisition de paramètre de dispositif, la dimension d'une microbande dans le circuit de compensation à une fréquence relativement basse.
(ZH) 本发明属于功率放大器领域,提供了一种E类功率放大器的补偿电路及其器件参数获取方法。E类功率放大器的补偿电路包括连接晶体管漏接和漏极偏置电源的第一电感;与第一电感并联连接,并连接于晶体管漏极和第二电容之间的第二电感;连接于第二电感和漏极偏置电源之间的第二电容,使用分立元件实现补偿电路。本发明通过所述E类功率放大器的补偿电路及其器件参数获取方法,在频率较低时减小了补偿电路中的微带尺寸。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)