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1. (WO2016201823) RÉSINE PHOTOSENSIBLE HYDROPHILE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE COUCHE DE POINTS QUANTIQUES ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/201823    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/091031
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 29.09.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), G02F 1/13357 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Bin; (CN).
ZHOU, Tingting; (CN).
ZHANG, Feng; (CN).
ZHANG, Wei; (CN).
GAO, Jincheng; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510335044.4  16.06.2015 CN
Titre (EN) HYDROPHILIC PHOTORESIST, QUANTUM DOT LAYER PATTERNING METHOD AND QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) RÉSINE PHOTOSENSIBLE HYDROPHILE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE COUCHE DE POINTS QUANTIQUES ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES
(ZH) 亲水光刻胶、量子点层图案化的方法及量子点发光二极管
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a photoresist, a quantum dot layer patterning method, a QLED, a quantum dot colour film and a display apparatus, which may solve the problem that an existing patterning method may disrupt quantum dots. The quantum dot layer patterning method comprises the following steps: forming a hydrophilic photoresist pattern, comprising: forming a photoresist (2) material layer on a substrate (1) using a photoresist, patterning the photoresist (2) material layer to form a photoresist pattern, and performing a hydrophilic treatment on the photoresist; spreading quantum dots (3); removing the quantum dots retained on the photoresist pattern; and stripping the photoresist pattern. The quantum dot layer patterning method can improve the hydrophilic performance of a photoresist, and reduce the adhesion of an oleophilic quantum dot to the photoresist.
(FR)L'invention concerne une résine photosensible, un procédé de formation de motif de couche de points quantiques, une diode électroluminescente à points quantiques (QLED), un film couleur à points quantiques et un appareil d'affichage, qui peuvent résoudre le problème qui est qu'un procédé de formation de motif existant peut perturber des points quantiques. Le procédé de formation de motif de couche de points quantiques comprend les étapes suivantes : formation d'un motif de résine photosensible hydrophile, comprenant : la formation d'une couche de matériau de résine photosensible (2) sur un substrat (1) à l'aide d'une résine photosensible, la formation de motif de la couche de matériau de résine photosensible (2) afin de former un motif de résine photosensible, et la réalisation d'un traitement hydrophile sur la résine photosensible ; étalement de points quantiques (3) ; élimination des points quantiques retenus sur le motif de résine photosensible ; et décapage du motif de résine photosensible. Le procédé de formation de motif de couche de points quantiques peut améliorer la performance hydrophile d'une résine photosensible, et réduire l'adhérence d'un point quantique oléophile à la résine photosensible.
(ZH)提供一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置,其可解决现有的图案化的方法破坏量子点的问题。量子点层图案化的方法包括以下步骤:形成亲水光刻胶图案,包括:用光刻胶在基板(1)上形成光刻胶(2)材料层,对光刻胶(2)材料层进行构图从而形成光刻胶图案,和对光刻胶进行亲水处理;涂布量子点(3);除去保留在光刻胶图案上的量子点;和剥离光刻胶图案。量子点层图案化的方法可以提高光刻胶的亲水性能,降低具有亲油性的量子点在光刻胶上的附着力。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)