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1. (WO2016201235) CAPTEUR DE FORCE MEMS À NIVEAU DE TRANCHE RENFORCÉ AVEC TRANCHÉE DE TOLÉRANCE
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N° de publication : WO/2016/201235 N° de la demande internationale : PCT/US2016/036902
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
B81B 3/00 (2006.01) ,G01L 1/16 (2006.01) ,G01L 1/18 (2006.01)
Déposants : NEXTINPUT, INC.[US/US]; 2870 Zanker Road Suite 130 San Jose, California 95134, US
Inventeurs : CAMPBELL, Ian; US
DIESTELHORST, Ryan; US
BENJAMIN, Dan; US
NASIRI, Steven S.; US
Mandataire : ANDERSON, Bjorn G.; US
Données relatives à la priorité :
62/173,42010.06.2015US
Titre (EN) RUGGEDIZED WAFER LEVEL MEMS FORCE SENSOR WITH A TOLERANCE TRENCH
(FR) CAPTEUR DE FORCE MEMS À NIVEAU DE TRANCHE RENFORCÉ AVEC TRANCHÉE DE TOLÉRANCE
Abrégé : front page image
(EN) An example MEMS force sensor is described herein. The MEMS force sensor can include a cap for receiving an applied force and a sensor bonded to the cap. A trench and a cavity can be formed in the sensor. The trench can be formed along at least a portion of a peripheral edge of the sensor. The cavity, which can be sealed between the cap and the sensor, can define an outer wall and a flexible sensing element, and the outer wall can be arranged between the trench and the cavity. The sensor can also include a sensor element formed on the flexible sensing element. The sensor element can change an electrical characteristic in response to deflection of the flexible sensing element.
(FR) La présente invention concerne un capteur de force MEMS donné à titre d'exemple. Le capteur de force MEMS peut comprendre un bouchon destiné à recevoir une force appliquée et un capteur lié au bouchon. Une tranchée et une cavité peuvent être formées dans le capteur. La tranchée peut être formée le long d'au moins une portion d'un bord périphérique du capteur. La cavité, qui peut être scellée entre le bouchon et le capteur, peut définir une paroi extérieure et un élément de détection flexible et la paroi extérieure peut être disposée entre la tranchée et la cavité. Le capteur peut également comprendre un élément capteur formé sur l'élément de détection flexible. L'élément sensible peut modifier une caractéristique électrique en réponse à la déflexion de l'élément de détection flexible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)