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1. (WO2016200623) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE À GRILLE DIVISÉE AVEC DISPOSITIFS EN LOGIQUE 5 VOLTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/200623    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/034450
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : DO, Nhan; (US).
TIWARI, Vipin; (US)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/164,796 25.05.2016 US
62/172,319 08.06.2015 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH 5 VOLT LOGIC DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE À GRILLE DIVISÉE AVEC DISPOSITIFS EN LOGIQUE 5 VOLTS
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a memory device on a semiconductor substrate having a memory region (with floating and control gates), a first logic region (with first logic gates) and a second logic region (with second logic gates). A first implantation forms the source regions adjacent the floating gates in the memory region, and the source and drain regions adjacent the first logic gates in the first logic region. A second implantation forms the source and drain regions adjacent the second logic gates in the second logic region. A third implantation forms the drain regions adjacent the control gates in the memory region, and enhances the source region in the memory region and the source/drain regions in the first logic region. A fourth implantation enhances the source/drain regions in the second logic region.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire sur un substrat semi-conducteur comprenant une région de mémoire (comportant des grilles flottantes et des grilles de commande), une première région logique (comportant des premières portes logiques) et une seconde région logique (comportant des secondes portes logiques). Une première implantation forme les zones de source adjacentes aux grilles flottantes dans la région de mémoire, et les zones de source et de drain adjacentes aux premières portes logiques dans la première région logique. Une deuxième implantation forme les zones de source et de drain adjacentes aux secondes portes logiques dans la seconde zone logique. Une troisième implantation forme les zones de drain adjacentes aux grilles de commande dans la région de mémoire, et enrichit les zones de source dans la région de mémoire et les zones de source/drain dans la première région logique. Une quatrième implantation enrichit les zones de source/drain dans la seconde région logique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)