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1. (WO2016200574) STRUCTURE DE CONDENSATEUR À BORNES ASYMÉTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/200574 N° de la demande internationale : PCT/US2016/033038
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 18.05.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 14.03.2017
CIB :
H01G 4/30 (2006.01) ,H01G 4/232 (2006.01) ,H01G 2/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
30
Condensateurs à empilement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
228
Bornes
232
pour la connexion électrique d'au moins deux couches d'un condensateur à empilement ou à enroulement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
2
Détails de condensateurs non couverts par un seul des groupes H01G4/-H01G11/114
02
Dispositifs de montage
06
spécialement adaptés pour le montage sur un support de circuit imprimé
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : SONG, Young Kyu; US
WE, Hong Bok; US
HWANG, Kyu-Pyung; US
Mandataire : LENKIN, Alan M.; US
Données relatives à la priorité :
14/736,21910.06.2015US
Titre (EN) CAPACITOR STRUCTURE WITH ASYMMETRIC TERMINALS
(FR) STRUCTURE DE CONDENSATEUR À BORNES ASYMÉTRIQUES
Abrégé :
(EN) A passive discrete device (400) includes a first asymmetric terminal (410A) and a second asymmetric terminal (410B). The passive discrete device (400) further includes first internal electrodes (420A) extended to electrically couple to a first side and a second side of the first asymmetric terminal (410A). The passive discrete device (400) also includes second internal electrodes (420B) extended to electrically couple to a first side and a second side of the second asymmetric terminal (420B).
(FR) Un composant discret passif (400) comprend une première borne asymétrique (410A) et une seconde borne asymétrique (410B). Le composant discret passif (400) comprend en outre des première électrodes internes (420A) étendues de sorte à se coupler électriquement à un premier côté et à un second côté de la première borne asymétrique (410A). Le composant discret passif (400) comprend également des secondes électrodes internes (420B) étendues de sorte à se coupler électriquement à un premier côté et à un second côté de la seconde borne asymétrique (420B).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)