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1. (WO2016200500) MASQUE POUR SYSTÈME DE DÉPÔT ET PROCÉDÉ D'UTILISATION DU MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/200500    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/029861
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 28.04.2016
CIB :
H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : WHITE, John M.; (US).
VISSER, Robert Jan; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
14/733,913 08.06.2015 US
Titre (EN) MASK FOR DEPOSITION SYSTEM AND METHOD FOR USING THE MASK
(FR) MASQUE POUR SYSTÈME DE DÉPÔT ET PROCÉDÉ D'UTILISATION DU MASQUE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the disclosure provide methods and apparatus for monitoring film properties on a substrate in-situ. In one embodiment, a deposition system is provided. The deposition system includes at least two deposition chambers, and a patterned mask designed specifically for each of the deposition chambers, wherein a first mask of the patterned masks has a first opening formed therethrough outside of a pattern formed thereon, and a second mask of the patterned masks has a first opening formed therethrough outside of a pattern formed thereon, the first opening of the second mask having a position on the second mask that is different than a position of the first opening on the first mask.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés et un appareil permettant de surveiller les propriétés de film sur un substrat in situ. Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un système de dépôt. Le système de dépôt comprend au moins deux chambres de dépôt, et un masque à motifs conçu spécifiquement pour chacune des chambres de dépôt, un premier masque parmi les masques à motifs ayant une première ouverture formée à travers celui-ci à l'extérieur d'un motif formé sur celui-ci, et un second masque parmi les masques à motifs ayant une première ouverture formée à travers celui-ci à l'extérieur d'un motif formé sur celui-ci, la première ouverture du second masque ayant une position sur le second masque qui est différente d'une position de la première ouverture sur le premier masque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)