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1. (WO2016200346) PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION HERMÉTIQUE POUR DISPOSITIFS MEMS DE TYPE SOI AVEC DES TRAVERSÉES VERTICALES INTÉGRÉES

Pub. No.:    WO/2016/200346    International Application No.:    PCT/TR2015/050001
Publication Date: Fri Dec 16 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue Jun 09 01:59:59 CEST 2015
IPC: B81C 1/00
Applicants: ALPER, Said Emre
TORUNBALCI, Mustafa Mert
AKIN, Tayfun
Inventors: ALPER, Said Emre
TORUNBALCI, Mustafa Mert
AKIN, Tayfun
Title: PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION HERMÉTIQUE POUR DISPOSITIFS MEMS DE TYPE SOI AVEC DES TRAVERSÉES VERTICALES INTÉGRÉES
Abstract:
La présente invention concerne un procédé d'encapsulation au niveau de la tranche pour des structures MEMS de type SOI (silicium sur isolant) qui doivent être encapsulées dans une cavité hermétique avec des fils électriques à l'extérieur sans supprimer l'herméticité de ladite cavité. Les dispositifs MEMS et les traversées verticales sont fabriqués sur la même tranche de SOI, tandis qu'une tranche de verre ou de silicium est utilisée pour encapsuler et acheminer la métallisation. Le procédé nécessite au plus cinq masques de traitement et une seule tranche de SOI. Par rapport aux technologies d'encapsulation existantes, il réduit le nombre de tranches, de masques de traitement et d'étapes de traitement. La connexion par fils classique est suffisante pour raccorder les traversées verticales à l'extérieur, sans avoir besoin de recharge de conducteur à l'intérieur des ouvertures. Le procédé est compatible avec des procédés de liaison/scellement à base de thermocompression à basse température ainsi qu'avec des procédés de liaison par fusion silicium-verre anodique ou silicium-silicium, qui ne nécessitent aucun matériau d'étanchéité pour la liaison/le scellement. Ce procédé simplifié augmente la fiabilité et le rendement en plus d'abaisser les coûts de fabrication de composants MEMS étanches selon la présente invention.