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1. (WO2016200216) CELLULE SOLAIRE DE TYPE À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/200216    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/006207
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
H01L 31/0445 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
Déposants : JUSUNG ENGINEERING CO., LTD. [KR/KR]; 240, Opo-ro, Opo-eup Gwangju-si Gyeonggi-do 12773 (KR)
Inventeurs : KIM, Yong Hyun; (KR).
PARK, Chang Kyun; (KR).
KIM, Young Gi; (KR).
KIM, Duck Ho; (KR).
MIN, Kyung In; (KR).
CHOI, Sang Su; (KR)
Mandataire : ASTRAN INT'L IP GROUP; (ShinSung Building, Yeoksam-dong) 5th Floor, 233, Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06225 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0082632 11.06.2015 KR
Titre (EN) THIN FILM TYPE SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE DE TYPE À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 박막형 태양전지와 그의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment of the present invention relates to a thin film type solar cell which is capable of preventing power reduction by preventing short-circuits between first electrodes and second electrodes due to burrs formed on separation parts. A thin film type solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; first electrodes that are spaced apart on the substrate with first separation parts therebetween; semiconductor layers that are spaced apart on the first electrodes with contact parts and second separation parts therebetween and that come into contact with the substrate through the first separation parts; and second electrodes that are spaced apart on the semiconductor layers with the second separation parts therebetween and that come into contact with the first electrodes through the contact parts, wherein the height of burrs in the second separation parts is lower than the height between the first electrodes and the second electrodes.
(FR)Un mode de réalisation de la présente invention concerne une cellule solaire de type à couche mince qui, en empêchant des courts-circuits entre des premières électrodes et secondes électrodes imputables à des sous-produits formés sur une partie de séparation, permet d'empêcher une réduction de puissance. Une cellule solaire de type à couche mince selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat; des premières électrodes qui sont formées espacées les unes des autres sur le substrat et comportant des première parties de séparation entre elles; des couches semi-conductrices sur les premières électrodes qui sont en contact avec le substrat à travers les premières parties de séparation qui sont formées espacées les unes des autres comportant des parties de contact et des secondes parties de séparation entre elles; et des premières électrodes sur les couches semi-conductrices qui sont en contact avec les secondes électrodes à travers les parties de contact et qui sont formées espacées les unes des autres comportant la seconde partie de séparation entre elles, la hauteur de sous-produits formés dans les secondes parties de séparation étant inférieure à la hauteur entre les premières électrodes et les secondes électrodes.
(KO)본 발명의 실시예는 분리부에 형성된 부산물에 의해 제1 전극과 제2 전극 간에 단락이 발생하는 것을 방지함으로써 출력 감소를 방지할 수 있는 박막형 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판; 상기 기판 상에서 제1 분리부를 사이에 두고 이격되어 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에서 상기 제1 분리부를 통해 상기 기판과 접하고, 콘택부 및 제2 분리부를 사이에 두고 이격되어 형성되는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에서 상기 콘택부를 통해 상기 제1 전극과 접속되고, 상기 제2 분리부를 사이에 두고 이격되어 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 분리부에 형성된 부산물의 높이는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 높이보다 낮은 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)