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1. (WO2016200203) SYSTÈME DE RAYONNEMENT DE CHALEUR DE LAMPE À DEL UTILISANT UN MILIEU DE TRANSFERT DE CHALEUR À HAUTE EFFICACITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/200203    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/006181
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
F21V 29/89 (2015.01), F21S 8/08 (2006.01), F21V 29/70 (2015.01), H01L 33/64 (2010.01), F21W 131/103 (2006.01)
Déposants : TECHEN CO., LTD. [KR/KR]; 6-30, Seojae-ro 14-gil, Dasa-eup, Dalseong-gun, Daegu 42927 (KR)
Inventeurs : LEE, Young Seb; (KR)
Mandataire : SEONG, Nak Hoon; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0082077 10.06.2015 KR
Titre (EN) LED LIGHT HEAT RADIATING SYSTEM USING HIGHLY EFFICIENT HEAT TRANSFER MEDIUM
(FR) SYSTÈME DE RAYONNEMENT DE CHALEUR DE LAMPE À DEL UTILISANT UN MILIEU DE TRANSFERT DE CHALEUR À HAUTE EFFICACITÉ
(KO) 고효율 열전달매체를 이용한 LED 조명등 방열시스템
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a large LED light using an LED chip as a light source and particularly to an LED light heat radiating system using a highly efficient heat transfer medium and maximizing the heat radiating effect of an LED light by effectively conducting, to the heat radiating body of the LED light, high-temperature heat radiated through the heat radiating point of an LED chip mounted in the LED light. The LED light heat radiating system for radiating heat using a highly efficient heat transfer medium, according to the present invention, comprises: two via holes having a diameter of 0.7-0.9 mm formed between the LED chip heat radiating point bonding copper foil surface of the upper copper foil surface of a PCB assembly, which is contacted by the heat radiating point of each LED chip mounted on the upper copper foil surface of the PCB assembly of the LED light, and the lower copper foil surface of the PCB assembly; a copper layer formed in the via holes by copper (Cu) plating; and the heat transfer medium having the outer surface of a tin chip coated with a silver (Ag) layer having a thickness of 3-5 ㎛ formed as a result of filling the space inside the copper layer with a cream solder, which is formed from a mixture of 96% tin (Sn) and 4% silver (Ag), and heating same using a reflow heater.
(FR)La présente invention porte sur une grande lampe à diodes électroluminescentes (DEL) utilisant une puce DEL comme source de lumière, et en particulier sur un système de rayonnement de chaleur de lampe à DEL utilisant un milieu de transfert de chaleur à haute efficacité et maximisant l'effet de rayonnement de chaleur d'une lampe à DEL par conduction efficace, vers le corps de rayonnement de chaleur de la lampe à DEL, de la chaleur à haute température rayonnée par le point de rayonnement de chaleur d'une puce DEL montée dans la lampe à DEL. Le système de rayonnement de chaleur de lampe à DEL, destiné à rayonner de la chaleur à l'aide d'un milieu de transfert de chaleur à haute efficacité, selon la présente invention, comprend : deux trous d'interconnexion ayant un diamètre de 0,7 à 0,9 mm formés entre la surface de feuille de cuivre de collage de point de rayonnement de chaleur de puce DEL de la surface de feuille de cuivre supérieure d'un ensemble carte de circuit imprimé (PCB), qui est en contact avec le point de rayonnement de chaleur de chaque puce DEL montée sur la surface de feuille de cuivre supérieure de l'ensemble PCB de la lampe à DEL, et la surface de feuille de cuivre inférieure de l'ensemble PCB ; une couche de cuivre formée dans les trous d'interconnexion par dépôt de cuivre (Cu) ; et le milieu de transfert de chaleur comprenant la surface extérieure d'une puce d'étain revêtue d'une couche d'argent (Ag) ayant une épaisseur de 3 à 5 µm formée en résultat du remplissage de l'espace à l'intérieur de la couche de cuivre avec de la crème à braser, qui est formée à partir d'un mélange de 96 % d'étain (Sn) et de 4 % d'argent (Ag), et de son chauffage à l'aide d'un dispositif de chauffage pour refusion.
(KO)본 발명은 LED 칩을 광원으로 이용하는 대형 LED 조명등에 관한 것으로써, 특히 LED 조명등에 실장되는 LED 칩의 방열점을 통해 방사되는 고열을 LED 조명등의 방열체로 효과적으로 전도함으로써 LED 조명등의 방열효과를 극대화 하는 고효율 열전달매체를 이용한 LED 조명등 방열시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고효율 열전달매체를 이용한 LED 조명등 방열시스템은 고효율 열전달매체를 이용하여 방열하는 LED 조명등의 방열시스템에 있어서, LED 조명등의 PCB 어셈블리 상부 동박면에 실장되는 각 LED 칩의 방열점이 접촉되는 PCB 어셈블리 상부 동박면의 LED 칩 방열점 접합 동박면과 PCB 어셈블리 하부 동박면 간에 직경 0.7∼0.9mm의 비아홀이 2개 형성되고, 상기 비아홀에는 동(Cu) 도금으로 형성되는 동막이 형성되며, 상기 동막 내부 공간에는 주석(Sn) 96% 은(Ag) 4%로 혼합하여 조성한 크림솔더를 충진하여 리플로우(RE-FLOWER) 가열장치로 열을 가함으로써 주석 칩 외표면에 3∼5㎛ 두께로 은(Ag) 막 코팅된 열전달매체가 형성되어 이루어진다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)