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1. (WO2016199980) SYSTÈME DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À L'AIDE D'INITIATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/199980    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/009511
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 10.09.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01)
Déposants : SUNIC SYSTEM LTD. [KR/KR]; 293, Saneop-ro 155beon-gil, Gwonseon-gu Suwon-si Gyeonggi-do 441-811 (KR)
Inventeurs : LEE, Jae Ho; (KR)
Mandataire : LEE, Joon Sung; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0081431 09.06.2015 KR
10-2015-0081432 09.06.2015 KR
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM USING INITIATOR
(FR) SYSTÈME DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À L'AIDE D'INITIATEUR
(KO) 개시제를 이용하는 화학기상증착시스템
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a chemical vapor deposition system using an initiator, the system comprising: a first chamber that forms a polymerization reaction site by feeding an initiator and a monomer in order to cause a polymerization reaction between the initiator and the monomer on the surface of a substrate; a second chamber that forms a polymer through a polymerization reaction between the initiator and the monomer after the substrate having the polymerization reaction site formed thereon by the first chamber is introduced thereinto; a third chamber that stops the reaction in order to control the thickness of deposition by removing the residual initiator after the substrate having the polymer formed thereon is introduced thereinto; and a substrate transfer device for moving the substrate from the first chamber to the third chamber via the second chamber, whereby it is possible to enhance the deposition speed and to reduce the material consumption when carrying out the deposition process using the initiator.
(FR)La présente invention concerne un système de dépôt chimique en phase vapeur à l'aide d'un initiateur, le système comprenant : une première chambre qui forme un site de réaction de polymérisation par alimentation d'un initiateur et d'un monomère afin de provoquer une réaction de polymérisation entre l'initiateur et la monomère sur la surface d'un substrat; une deuxième chambre qui forme un polymère par l'intermédiaire d'une réaction de polymérisation entre l'initiateur et le monomère après l'introduction, dans la chambre, du substrat sur lequel est formé, par la première chambre, le site de réaction de polymérisation; une troisième chambre qui arrête la réaction afin de commander l'épaisseur de dépôt par élimination de l'initiateur résiduel après que le substrat sur lequel est formé le polymère est introduit dans cette dernière; et un dispositif de transfert de substrat destiné à déplacer le substrat depuis la première chambre vers la troisième chambre par l'intermédiaire de la deuxième chambre, grâce à quoi il est possible d'améliorer la vitesse de dépôt et de réduire la consommation de matière lors de la mise en œuvre du procédé de dépôt à l'aide de l'initiateur.
(KO)본 발명은 개시제(Initiator)를 사용하는 화학기상증착시스템에 관한 것으로, 기판 표면에서 개시제와 모노머의 중합반응을 일으키기 상기 개시제와 모노머를 투입하여 중합반응 사이트 형성하는 제1 챔버와, 상기 제1 챔버에서 중합반응 사이트가 형성된 기판이 유입된 후 개시제와 모노머의 중합반응을 통해 폴리머를 형성하는 제2 챔버와, 상기 폴리머가 형성된 기판이 유입된 후 잔류 개시제를 제거하여 증착두께를 제어하기 위해 반응을 중단시키는 제3 챔버와, 상기 제1 챔버에서 제2 챔버를 거쳐 제3 챔버로 기판을 이동시키기 위한 기판 이송장치를 포함하며, 개시제를 이용하는 증착공정 시 증착 속도 향상 및 물질 소모량 감소를 할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)