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1. (WO2016199838) SUBSTRAT β-Ga2O3, STRUCTURE STRATIFIÉE DE SEMICONDUCTEUR, ET ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/199838    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/067178
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 09.06.2016
CIB :
C30B 29/16 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP).
KOHA CO., LTD. [JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP)
Inventeurs : YAMASHITA, Yoshihiro; (JP).
IIZUKA, Kazuyuki; (JP).
MORISHIMA, Yoshikatsu; (JP)
Représentant
commun :
TAMURA CORPORATION; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-116909 09.06.2015 JP
Titre (EN) β-Ga2O3 SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) SUBSTRAT β-Ga2O3, STRUCTURE STRATIFIÉE DE SEMICONDUCTEUR, ET ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
(JA) β-Ga2O3基板、半導体積層構造体、及び半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a β-Ga2O3 substrate offering excellent crystal orientation in not only a center point of a principal surface but also in a broader region including the center point, and a semiconductor laminate structure and semiconductor element including said β-Ga2O3 substrate. Provided is a β-Ga2O3 substrate 2 configured such that: a (-201) surface or a (101) surface is taken to be a principal surface 2a; at the center of the principal surface 2a, a rectangular region having a width of 2.3 mm in the [010] direction and a width of 10 mm in a direction perpendicular to the [010] direction is set as a region 51, and the half-value width of the X-ray rocking curve of the principal surface 2a, obtained by irradiating the region 51 with X-rays from a direction where the direction of orthogonal projection onto the principal surface 2a is a [010] direction, is 100 arcsec or lower; and at the center of the principal surface 2a, a rectangular region having a width of 0.5 mm in the [010] direction and a width of 0.15 mm in a direction perpendicular to the [010] direction is set as a region 52, and the half-value width of the X-ray rocking curve of the principal surface 2a, obtained by irradiating the region 52 with X-rays from a direction where the direction of orthogonal projection onto the principal surface 2a is a [010] direction, is 50 arcsec or lower.
(FR)L'invention concerne un substrat β-Ga2O3 offrant une excellente orientation cristalline non seulement en un point central d'une surface principale, mais également dans une région plus large comprenant le point central, et une structure stratifiée de semiconducteur ainsi qu'un élément semiconducteur comprenant ledit substrat β-Ga2O3. L'invention concerne un substrat β-Ga2O3 2 conçu de la manière suivante : une surface (-201) ou une surface (101) est considérée comme étant une surface principale 2a; au centre de la surface principale 2a, une région rectangulaire présentant une largeur de 2,3 mm dans la direction [010] et une largeur de 10 mm dans une direction perpendiculaire à la direction [010] est délimitée en tant que région 51, et la largeur de demi-valeur de la courbe de réflexion des rayons X de la surface principale 2a, obtenue par irradiation de la région 51 avec des rayons X depuis une direction dans laquelle la direction de projection orthogonale sur la surface principale 2a est une direction [010], est égale ou inférieure à 100 arcsec; et au centre de la surface principale 2a, une région rectangulaire présentant une largeur de 0,5 mm dans la direction [010] et une largeur de 0,15 mm dans une direction perpendiculaire à la direction [010] est délimitée en tant que région 52, et la largeur de demi-valeur de la courbe de réflexion des rayons X de la surface principale 2a, obtenue par irradiation de la région 52 avec des rayons X depuis une direction dans laquelle la direction de projection orthogonale sur la surface principale 2a est une direction [010], est égale ou inférieure à 50 arcsec.
(JA)主面の中心点のみならず、中心点を含むより広い領域において結晶の配向性に優れるβ-Ga基板、並びにそのβ-Ga基板を含む半導体積層構造体及び半導体素子を提供する。 (-201)面又は(101)面を主面2aとし、主面2aの中心における、[010]方向の幅2.3mm、[010]方向に垂直な方向の幅10mmの長方形の領域51に、主面2a上への正射影の方向が[010]方向である方向からX線を照射して得られる主面2aのX線ロッキングカーブの半値幅が100arcsec以下であり、主面2aの中心における、[010]方向の幅0.5mm、[010]方向に垂直な方向の幅0.15mmの長方形の領域52に、主面2a上への正射影の方向が[010]方向である方向からX線を照射して得られる主面2aのX線ロッキングカーブの半値幅が50arcsec以下である、β-Ga基板2を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)