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1. (WO2016199738) APPAREIL D'EXPOSITION À UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/199738 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/066825
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 07.06.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01J 37/305 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30
Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
305
pour couler, fondre, évaporer ou décaper
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
68
pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventeurs :
柴崎 祐一 SHIBAZAKI, Yuichi; JP
Mandataire :
立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; JP
Données relatives à la priorité :
2015-11616008.06.2015JP
2015-11616108.06.2015JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION À UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 荷電粒子ビーム露光装置及びデバイス製造方法
Abrégé :
(EN) An electron beam exposure apparatus (100) which exposes a wafer (W) coated with electron beam resist to an electron beam is provided with: a stage (22) which holds the wafer (W) and is capable of moving; an electron beam optical system (32) for irradiating the wafer (W) with an electron beam; and an aperture member (16) which is disposed on the wafer (W) side, with respect to the optical axis direction, of the electron beam optical system, and which faces the wafer (W) across a predetermined gap, the aperture member having an aperture through which the electron beam from the electron beam optical system (32) passes.
(FR) L'invention porte sur un appareil d'exposition à un faisceau d'électrons (100), qui expose une plaquette (W) revêtue de résist pour faisceau d'électrons à un faisceau d'électrons, pourvu : d'une platine (22) qui maintient la plaquette (W) et peut se déplacer ; d'un système optique à faisceau d'électrons (32) pour exposer la plaquette (W) à un faisceau d'électrons ; et d'un élément d'ouverture (16) qui est disposé côté plaquette (W), par rapport à la direction de l'axe optique, du système optique à faisceau d'électrons, et qui est en regard de la plaquette (W) avec un écartement prédéterminé, l'élément d'ouverture comportant une ouverture par laquelle passe le faisceau d'électrons provenant du système optique à faisceau d'électrons (32).
(JA) 電子線レジストが塗布されたウエハ(W)を電子ビームで露光する電子ビーム露光装置(100)は、ウエハ(W)を保持して移動可能なステージ(22)と、電子ビームをウエハ(W)に照射する電子ビーム光学系(32)と、電子ビーム光学系の光軸方向に関するウエハ(W)側にウエハ(W)に所定の隙間を介して対向して配置され、電子ビーム光学系(32)からの電子ビームが通過する開口が形成された開口部材(16)と、を備えている。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)