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1. (WO2016199588) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, PROCÉDÉ D'ATTAQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2016/199588 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065591
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/355 (2011.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : YANAGITA Takeshi; JP
TAKIZAWA Masaaki; JP
NISHIMURA Yuuji; JP
ARAKAWA Shinichi; JP
NAKAMURA Yuugo; JP
CHIBA Yohei; JP
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-11665009.06.2015JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, DRIVING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, PROCÉDÉ D'ATTAQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
Abrégé : front page image
(EN) The present disclosure relates to an imaging element, a driving method, and an electronic device by which it is possible to capture a clearer image with lower noise. In the present invention, a pixel is provided having the following: a photoelectric conversion unit that converts incident light to an electric charge by photoelectric conversion and stores the charge; an electric charge transfer unit that transfers the electric charge generated in the photoelectric conversion unit; a diffusion layer to which the electric charge is transferred through the electric charge transfer unit, the diffusion layer having a prescribed storage capacitor; a conversion unit that converts the electric charge transferred to the diffusion layer to a pixel signal; and a connection wiring line that connects the diffusion layer to the conversion unit. The connection wiring line is connected to the diffusion layer and the conversion unit through a contact wiring line that extends in a direction perpendicular to a semiconductor substrate on which the diffusion layer is formed, and is formed closer towards the semiconductor substrate side than other wiring lines provided in the pixel. This technique can be applied to imaging elements used for monitoring, in vehicles, or the like, for example.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie, un procédé d'attaque, et un dispositif électronique grâce auquel il est possible de capturer une image plus claire avec moins de bruit. Selon la présente invention, un pixel comprend les éléments suivants : une unité de conversion photoélectrique qui convertit la lumière incidente en une charge électrique par conversion photoélectrique et stocke la charge; une unité de transfert de charge électrique qui transfère la charge électrique générée dans l'unité de conversion photoélectrique; une couche de diffusion à laquelle la charge électrique est transférée par l'intermédiaire de l'unité de transfert de charge électrique, la couche de diffusion comprenant un condensateur de stockage prescrit; une unité de conversion qui convertit la charge électrique transférée à la couche de diffusion en un signal de pixel; et une ligne de câblage de connexion qui connecte la couche de diffusion à l'unité de conversion. La ligne de câblage de connexion est connectée à la couche de diffusion et à l'unité de conversion par l'intermédiaire d'une ligne de câblage de contact qui s'étend dans une direction perpendiculaire à un substrat semi-conducteur sur lequel la couche de diffusion est formée, et se trouve plus proche du côté du substrat semi-conducteur que d'autres lignes de câblage prévues du pixel. Cette technique peut être appliquée à des éléments d'imagerie utilisés pour la surveillance dans des véhicules ou analogues, par exemple.
(JA) 本開示は、より低ノイズで鮮明な画像を撮像することができるようにする撮像素子および駆動方法、並びに電子機器に関する。 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、光電変換部で発生した電荷を転送する電荷転送部と、電荷転送部を介して電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、拡散層に転送された電荷を画素信号に変換する変換部と、拡散層および変換部を接続する接続配線とを有する画素を備える。そして、接続配線は、拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して拡散層および変換部に接続され、画素内に設けられる他の配線よりも半導体基板側に形成される。本技術は、例えば、監視や車両搭載などに用いられる撮像素子に適用できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)