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1. (WO2016199193) DISPOSITIF DE GAZÉIFICATION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/199193 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/066488
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 08.06.2015
CIB :
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.[JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
Inventeurs : TATENO, Hideto; JP
HARA, Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GASIFICATION DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE GAZÉIFICATION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 気化装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) [Problem] To provide a technique for generating stably a gasified gas in a liquid gasification process. [Solution] The gasification device comprises: a gasification container having an introduction port and an discharge port for a carrier gas; a dripping nozzle constituted in such a manner as to drip into a gasification container a liquid containing two or more substances whereof the boiling points inside the gasification container are different; a first gasification surface, which is horizontal or is inclined with respect to the horizontal, provided inside the gasification container at a dripping position of the liquid from the dripping nozzle; a heater for heating the first gasification surface; and an inclination angle adjustment mechanism for adjusting the inclination angle of the first gasification surface.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une technique permettant de générer de manière stable un gaz gazéifié dans un procédé de gazéification de liquide. La solution selon l’invention porte sur un dispositif de gazéification qui comprend : un récipient de gazéification ayant un orifice d'introduction et un orifice de décharge pour un gaz porteur ; une buse d'égouttement constituée de manière à faire tomber goutte à goutte dans un récipient de gazéification un liquide contenant deux substances ou plus dont les points d'ébullition à l'intérieur du récipient de gazéification sont différents ; une première surface de gazéification, qui est horizontale ou qui est inclinée par rapport à l'horizontal, disposée à l'intérieur du récipient de gazéification à une position d'égouttement du liquide à partir de la buse d'égouttement ; un dispositif de chauffage permettant de chauffer la première surface de gazéification ; et un mécanisme d'ajustement d'angle d'inclinaison permettant d'ajuster l'angle d'inclinaison de la première surface de gazéification.
(JA) [課題] 液体の気化工程において、気化ガスを安定的に生成する技術を提供する。 [解決手段] 気化装置において、キャリアガスの導入ポートと排出ポートを有する気化容器と、気化容器内において沸点が異なる2つ以上の物質が含まれる液体を気化容器内に滴下するよう構成される滴下ノズルと、気化容器内において滴下ノズルから液体が滴下される位置に設けられ、水平若しくは水平に対して傾斜を有する第1の気化面と、前記第1の気化面を加熱するヒータと、前記第1の気化面の傾斜の角度を変化させる傾斜角調整機構と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)