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1. (WO2016198542) HÉTÉROSTRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/198542    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/063198
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 09.06.2016
CIB :
H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/312 (2013.01)
Déposants : SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin (FR)
Inventeurs : CASTEX, Arnaud; (FR).
DELPRAT, Daniel; (FR).
ASPAR, Bernard; (FR).
RADU, Ionut; (FR)
Mandataire : GRÜNECKER PATENT- UND RECHTSANWÄLTE PARTG MBB; Leopoldstrasse 4 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
15/01222 12.06.2015 FR
Titre (EN) HETEROSTRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION
(FR) HÉTÉROSTRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a heterostructure, in particular a piezoelectric structure, comprising a cover layer, in particular a layer of piezoelectric material, the material of the cover layer having a first coefficient of thermal expansion, assembled to a support substrate, the support substrate having a second coefficient of thermal expansion substantially different from the first coefficient of thermal expansion, at an interface wherein the cover layer comprises at least a recess extending from the interface into the cover layer, and its method of fabrication.
(FR)La présente invention porte sur une hétérostructure, en particulier une structure piézoélectrique, comprenant une couche de recouvrement, en particulier une couche de matériau piézoélectrique, le matériau de la couche de recouvrement possédant un premier coefficient de dilatation thermique, assemblée à un substrat de support, le substrat de support possédant un second coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du premier coefficient de dilatation thermique, au niveau d'une interface, la couche de recouvrement comprenant au moins un évidement s'étendant dans la couche de recouvrement à partir de l'interface, et sur son procédé de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)