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1. (WO2016198420) CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/198420    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/062958
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 08.06.2016
CIB :
G01R 33/09 (2006.01)
Déposants : INL - INTERNATIONAL IBERIAN NANOTECHNOLOGY LABORATORY [PT/PT]; Avda. Mestre José Veiga s/n 4715-330 Braga (PT)
Inventeurs : FERREIRA, Ricardo Alexandre de Matos Antunes; (PT).
PAZ, Elvira Perez de Colosia; (PT)
Mandataire : AWAPATENT AB; Box 5117 200 71 Malmö (SE)
Données relatives à la priorité :
15171162.9 09.06.2015 EP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE SENSOR
(FR) CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoresistive sensor is provided. The magnetoresistive sensor comprises a magnetic sensing layer, a magnetic reference layer, and a tunnel barrier layer between the magnetic sensing layer and the magnetic reference layer. The magnetoresistive sensor also comprises a sensing exchange layer having a layer of anti-ferromagnetic material. The sensing exchange layer is exchange coupled with the magnetic sensing layer. Also, the magnetoresistive sensor still further comprises a reference exchange layer having a layer of anti-ferromagnetic material. The reference exchange layer is exchange coupled with the magnetic reference layer. Moreover, the magnetoresistive sensor is configured such that in the absence of an external magnetic field, an exchange bias pinning the reference layer lies along a reference direction, an exchange bias pinning the sensing layer lies along a first direction that is orthogonal to the reference direction, and a magnetic anisotropy of the sensing layer is parallel to the first direction.
(FR)La présente invention concerne un capteur magnétorésistif. Le capteur magnétorésistif comprend une couche de détection magnétique, une couche de référence magnétique et une couche barrière à effet tunnel située entre la couche de détection magnétique et la couche de référence magnétique. Le capteur magnétorésistif comprend également une couche d'échange de détection comportant une couche de matériau antiferromagnétique. La couche d'échange de détection est couplée avec échange à la couche de détection magnétique. De plus, le capteur magnétorésistif comprend également une couche d'échange de référence comportant une couche de matériau antiferromagnétique. La couche d'échange de référence est couplée avec échange à la couche de référence magnétique. Le capteur magnétorésistif est de plus conçu de sorte que, en l'absence d'un champ magnétique externe, un blocage de polarisation d'échange de la couche de référence se fasse dans une direction de référence, un blocage de polarisation d'échange de la couche de détection se fasse dans une première direction orthogonale à la direction de référence, et une anisotropie magnétique de la couche de détection soit parallèle à la première direction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)