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1. (WO2016198341) PROCEDE DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/198341 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/062721
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 29/60 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40
Composés AIII BV
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
60
caractérisés par la forme
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
02
Traitement thermique
Déposants :
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 Paris, FR
Inventeurs :
VEZIAN, Stéphane; FR
DAMILANO, Benjamin; FR
BRAULT, Julien; FR
Mandataire :
PRIORI, Enrico; FR
Données relatives à la priorité :
155528310.06.2015FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING NANOSTRUCTURES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing at least one type of nanostructure (30, 35, 37), including the following steps: partially covering a surface of a layer or a single-crystal multilayer structure (3) using a discontinuous mask (4) which forms discrete islands having at least one sub-micrometric side dimension and is made of a material having an evaporation temperature greater than that of said layer or multilayer structure; and vacuum heating said layer or multilayer structure to a so-called etching temperature which is greater than the evaporation temperature of said layer or multilayer structure but less than that of said mask, so as to cause said layer or multilayer structure to evaporate outside the regions covered by said mask. The invention further relates to structures that can be produced using a method of this type.
(FR) Procédé de fabrication d'au moins un type de nanostructures (30, 35, 37) comprenant les étapes suivantes; recouvrement partiel d'une surface d'une couche ou structure muiticouches monocristalline (3) par un masque discontinu (4), formant des Îlots discrets présentant au moins une dimension latérale sub-micrométrique et réalisé en un matériau présentant une température d'évaporation supérieure à celle de ladite couche ou structure muiticouches; et chauffage sous vide de ladite couche ou structure muiticouches à une température dite de gravure, supérieure à la température d'évaporation de ladite couche ou structure muiticouches mais inférieure à celle dudit masque, de manière à provoquer l'évaporation de ladite couche ou structure muiticouches en dehors des régions recouvertes par ledit masque. Structures susceptibles d'être fabriquées par un tel procédé.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)