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1. (WO2016198255) PROCÉDÉ ET APPAREIL LITHOGRAPHIQUE POUR LE CHARGEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/198255    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/061587
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 23.05.2016
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven (NL)
Inventeurs : SOETHOUDT, Abraham, Alexander; (NL).
POIESZ, Thomas; (NL)
Mandataire : DUNG, S.; (NL)
Données relatives à la priorité :
15171545.5 11.06.2015 EP
Titre (EN) LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD FOR LOADING A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL LITHOGRAPHIQUE POUR LE CHARGEMENT DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A lithographic apparatus comprises a support table and a gas extraction system. The gas extraction system is configured to extract gas from a gap between the base surface of the support table and a substrate through at least one gas extraction opening when the substrate is being lowered onto the support table. The lithographic apparatus is configured such that gas is extracted from the gap at a first loading flow rate when the distance between the substrate and the support plane is greater than a threshold distance and gas is extracted from the gap at a second loading flow rate when the distance between the substrate and the support plane is less than the threshold distance, wherein the second loading flow rate is lower than the first loading flow rate.
(FR)L'invention concerne un appareil lithographique qui comprend une table de support et un système d'extraction de gaz. Le système d'extraction de gaz est configuré pour extraire un gaz d'un espace entre la surface de base de la table de support et un substrat à travers au moins une ouverture d'extraction de gaz lorsque le substrat est abaissé sur la table de support. L'appareil lithographique est configuré de telle sorte que le gaz est extrait de l'espace à un premier débit de chargement lorsque la distance entre le substrat et le plan de support est supérieure à une distance de seuil, et que le gaz est extrait de l'espace à un second débit de chargement lorsque la distance entre le substrat et le plan de support est inférieure à la distance de seuil, le second débit de chargement étant inférieur au premier débit de chargement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)