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1. (WO2016198211) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DÉTECTEUR D'ÉLECTROLYTE SOLIDE
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N° de publication : WO/2016/198211 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/059466
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 28.04.2016
CIB :
G01N 27/407 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH[DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventeurs : NOLTE, Philipp; DE
PANTEL, Daniel; DE
SCHELLING, Christoph; DE
ROELVER, Robert; DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 210 659.411.06.2015DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLID-ELECTROLYTE SENSOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DÉTECTEUR D'ÉLECTROLYTE SOLIDE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FESTKÖRPERELEKROLYT-SENSORELEMENTS
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a method for producing at least one solid-electrolyte sensor element (110). The method comprises the following steps: a) providing at least one semiconductor substrate (112); b) forming at least one cavity (114) in at least one surface (116) of the semiconductor substrate (112); c) at least partially filling the cavity (114) with at least one sacrificial layer material (120); d) applying at least one layer structure (122) of the solid-electrolyte sensor element (110) to the sacrificial layer material (120), wherein the layer structure (122) comprises at least one layer (124) of an electrically conductive electrode material and at least one solid-electrolyte layer (126), e) at least partially removing the sacrificial layer material (120), wherein the cavity (114) is at least partially exposed again, the cavity (114) being at least partially covered by the layer structure (122).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un élément détecteur d'électrolyte solide (110). Le procédé comprend les étapes consistant : a) à prendre au moins un substrat semi-conducteur (112) ; b) à former au moins une cavité (114) dans au moins une surface (116) du substrat semi-conducteur (112) ; c) à remplir au moins en partie la cavité (114) au moins d'un matériau formant couche sacrificielle (120) ; d) à appliquer au moins une structure stratifiée (122) de l'élément détecteur d'électrolyte solide (110) sur le matériau formant couche sacrificielle (120), la structure stratifiée (122) comprenant au moins une couche (124) d'un matériau d'électrode électroconducteur et au moins une couche d'électrolyte solide (126), e) à retirer au moins en partie le matériau formant couche sacrificielle (120), la cavité (114) étant au moins partiellement à nouveau dégagée de manière à ce que la cavité (114) soit au moins partiellement dépourvue de la structure stratifiée (122).
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines Festkörperelektrolyt-Sensorelements (110) vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: a) Bereitstellen mindestens eines Halbleitersubstrats (112); b) Ausbilden mindestens einer Kaverne (114) in mindestens einer Oberfläche (116) des Halbleitersubstrats (112); c) zumindest teilweises Auffüllen der Kaverne (114) mit mindestens einem Opferschichtmaterial (120); d) Aufbringen mindestens eines Schichtaufbaus (122) des Festkörperelektrolyt-Sensorelements (110) auf das Opferschichtmaterial (120), wobei der Schichtaufbau (122) mindestens eine Schicht (124) eines elektrisch leitfähigen Elektrodenmaterials und mindestens eine Festkörperelektrolytschicht (126) umfasst, e) zumindest teilweises Entfernen des Opferschichtmaterials (120), wobei die Kaverne (114) zumindest teilweise wieder freigelegt wird, so dass die Kaverne (114) zumindest teilweise von dem Schichtaufbau (122) abgedeckt ist.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)