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1. (WO2016197650) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) DANS L'ULTRAVIOLET (UV) À BASE D'ALGAN EXEMPT DE DOPANT ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/197650 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/076851
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 21.03.2016
CIB :
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
中国科学院半导体研究所 INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 海淀区清华东路甲35号 No. 35A, Qinghua Dong Lu, Haidian District Beijing 100083, CN
Inventeurs :
张连 ZHANG, Lian; CN
张韵 ZHANG, Yun; CN
王军喜 WANG, Junxi; CN
李晋闽 LI, Jinmin; CN
Mandataire :
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089, CN
Données relatives à la priorité :
201510308850.208.06.2015CN
Titre (EN) DOPANT-FREE ALGAN-BASED ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) DANS L'ULTRAVIOLET (UV) À BASE D'ALGAN EXEMPT DE DOPANT ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a dopant-free AlGaN-based ultraviolet (UV) light emitting diode (LED) and preparation method thereof. The dopant-free AlGaN-based UV LED comprises: a substrate (1); a dopant-free n-type layer (2) deposited on the substrate (1); an active area (3) deposited on the dopant-free n-type layer (2); and a dopant-free p-type layer (4) deposited on the active area (3). The dopant-free AlGaN-based UV LED does not adopt any dopant, increasing material quality of transistor and simplifying steps of growing layers to form the material.
(FR) La présente invention porte sur une diode électroluminescente (DEL) dans l'ultraviolet (UV) à base d'AlGaN exempt de dopant et son procédé de préparation. La DEL UV à base d'AlGaN exempt de dopant comprend : un substrat (1) ; une couche de type n exempte de dopant (2) déposée sur le substrat (1) ; une zone active (3) déposée sur la couche de type n exempte de dopant (2) ; et une couche de type p exempte de dopant (4) déposée sur la zone active (3). La DEL UV à base d'AlGaN exempt de dopant n'utilise pas de quelconque dopant, augmentant la qualité de matière de transistor et simplifiant les étapes de croissance de couches pour former la matière.
(ZH) 提供一种无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法,其中无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管,包括:一衬底(1);一无掺杂剂n型层(2),其制作在衬底(1)上;一有源区(3),其制作在无掺杂剂n型层(2)上;一无掺杂剂p型层(4),其制作在有源区(3)上。该无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管不用引入任何掺杂剂,可以提高晶体材料质量,并简化材料的生长步骤。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)