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1. (WO2016197502) TRANSISTOR À COUCHES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2016/197502    International Application No.:    PCT/CN2015/092206
Publication Date: Fri Dec 16 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue Oct 20 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/28
H01L 29/786
H01L 21/8234
H01L 27/32
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: YANG, Wei
杨维
LIU, Xiang
刘翔
Title: TRANSISTOR À COUCHES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et son procédé de fabrication, et un appareil d'affichage. Le procédé de fabrication de transistor à couches (200) consiste à : former une couche active (210), une grille (232), une électrode de source (231) et une électrode de drain (233) qui sont respectivement connectées électriquement avec la couche active (210), et une couche d'isolation de grille (220) disposée entre la grille (232) et la couche active (210). La grille (232), l'électrode de source (231) et l'électrode de drain (233) peuvent être formées dans le même procédé de composition. Le procédé peut réduire le nombre de plaques de masquage utilisées dans le procédé de fabrication du transistor à couches (200) ou du substrat de réseau (20), réduire le processus technique, améliorer la puissance de production et diminuer le coût de production.