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1. (WO2016197406) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES (TFT), STRUCTURE DE SUBSTRAT TFT

Pub. No.:    WO/2016/197406    International Application No.:    PCT/CN2015/082168
Publication Date: Fri Dec 16 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Thu Jun 25 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 27/12
H01L 29/786
H01L 21/336
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: GUO, Wenshuai
郭文帅
MING, Xing
明星
SHEN, Zhiyuan
申智渊
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES (TFT), STRUCTURE DE SUBSTRAT TFT
Abstract:
La présente invention porte sur un procédé de fabrication de structure de substrat de transistor en couches minces (TFT), et une structure de substrat TFT. Dans le procédé de fabrication de la structure de substrat TFT, une pluralité de segments métalliques (52) sont formés à des intervalles sur les deux côtés d'une grille (51) tandis que la grille (51) est en cours de fabrication, et prenant la pluralité de segments métalliques (52) de la grille (51) en tant que photomasque, une implantation ionique est effectuée sur une couche de silicium polycristallin (3) ; tandis que des régions fortement dopées de type n (31) sont formées sur la couche de silicium polycristallin (3), des régions non dopées (32) sont formées entre les régions fortement dopées de type n, ajoutant une résistance et des champs électriques forts à résistance et dispersion à proximité de l'électrode ; ainsi l'impact que l'effet de porteur chaud aurait sur des propriétés de composant en tant que résultat de la présence d'un champ électrique fort local est empêché, le courant de fonctionnement est augmenté, le procédé est simplifié, les coûts de production sont diminués, et la dimension de substrat TFT est réduite. Dans la structure de substrat TFT, des régions non dopées (32) sont formées entre les régions fortement dopées de type n (31) de la couche de silicium polycristallin (3), empêchant l'apparition de champs électriques forts locaux et éliminant l'impact de l'effet de porteur chaud sur des propriétés de composant ; le courant de fonctionnement est supérieur, la structure est simple et les coûts de production sont faibles.