Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2016197403) CIRCUIT GOA À BASE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/197403 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/082010
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 23.06.2015
CIB :
G09G 3/36 (2006.01)
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
G
DISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3
Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20
pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
34
en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
36
utilisant des cristaux liquides
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
戴超 DAI, Chao; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201510310266.008.06.2015CN
Titre (EN) GOA CIRCUIT BASED ON OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT GOA À BASE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路
Abrégé :
(EN) A GOA circuit based on an oxide semiconductor thin-film transistor. Fifty-fifth, fifty-sixth and fifty-seventh thin-film transistors (T55, T56, T57) respectively corresponding to fourth, fifth and second nodes (S(N), K(N), P(N)) in a pull-down maintaining module (600) are additionally added; and a stage transmission signal (ST(N-1)) of the (N-1)th stage GOA unit circuit at a previous stage or a scanning drive signal (G(N-1)) of the (N-1)th stage GOA unit circuit at the previous stage controls the fifty-fifth, fifty-sixth and fifty-seventh thin-film transistors (T55, T56, T57) to pull down the potentials of the fourth, fifth and second nodes (S(N), K(N), P(N)) in the case where a first node (Q(N)) is not lifted completely, thereby rapidly turning off the pull-down maintaining module (600) and guaranteeing the normal lifting of the potential of the first node (Q(N)), so as to make sure that the first node (Q(N)) is in a high potential state during an action period, thereby guaranteeing a normal output of the GOA circuit.
(FR) La présente invention concerne un circuit GOA à base d'un transistor couches minces d'oxyde semi-conducteur. Des cinquante-cinquième, cinquante sixième et cinquante-septième transistors à couches minces (T55, T56, T57) correspondant respectivement à des quatrième, cinquième et deuxième nœuds (S (N), K (N), P (N)) dans un module de maintien d'excursion basse (600) sont ajoutés en supplément; et un signal de transmission d'étage (ST (N-1) ) du circuit d'unité GOA de l'étage de rang (N-1) vers un étage précédent ou un signal de commande de balayage (G(N-1) du circuit d'unité GOA de rang (N-1) vers l'étage précédent commande les cinquante-cinquième, cinquante sixième et cinquante-septième transistors à couches minces (T55, T56, T57) pour l'excursion basse des potentiels des quatrième, cinquième et deuxième noeuds (S (N), K (N), P (N)) au cas où un premier nœud (Q(N)) n'est pas totalement élevé, permettant la mise hors tension rapide du module de maintien d'excursion basse (600) et de garantir l'élévation normale du potentiel du premier nœud (Q (N)), pour s'assurer que le premier nœud (Q (N) ) est dans un état de potentiel élevé pendant une période d'action, permettant de garantir la sortie normale du circuit GOA.
(ZH) 一种基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路,通过增设分别对应于下拉维持模块(600)中的第四、第五、第二节点(S(N)、K(N)、P(N))的第五十五、第五十六、第五十七薄膜晶体管(T55、T56、T57),通过上一级第N-1级GOA单元电路的级传信号(ST(N-1))或上一级第N-1级GOA单元电路的扫描驱动信号(G(N-1))控制第五十五、第五十六、第五十七(T55、T56、T57)在第一节点(Q(N))还未完全抬升的情况下,下拉第四、第五、第二节点(S(N)、K(N)、P(N))的电位,实现快速地关闭下拉维持模块(600),保证第一节点(Q(N))电位的正常抬升,确保在作用期间第一节点(Q(N))处于高电位,从而保证GOA电路的正常输出。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)