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1. (WO2016197105) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/197105 N° de la demande internationale : PCT/US2016/036021
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 06.06.2016
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
24
avec des détecteurs à semi-conducteurs
Déposants :
GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road Schenectady, New York 12345, US
Inventeurs :
GUO, Jianjun; US
DOLINSKY, Sergei Ivanovich; US
Mandataire :
DIVINE, Lucas; US
Données relatives à la priorité :
62/171,29105.06.2015US
Titre (EN) SOLID STATE PHOTOMULTIPLIER
(FR) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Embodiments of a solid state photomultiplier are provided herein. In some embodiments, a solid state photomultiplier may include a microcell configured to generate an analog signal when exposed to optical photons, a quench resistor electrically coupled to the microcell in series; and a first switch disposed between the quench resistor and an output of the solid state photomultiplier, the first switch electrically coupled to the microcell via the quench resistor and configured to selectively couple the microcell to the output.
(FR) L'invention concerne des modes de réalisation d'un photomultiplicateur à semi-conducteurs. Dans certains modes de réalisation, un photomultiplicateur à semi-conducteurs peut comprendre une microcellule conçue pour générer un signal analogique lorsque cette dernière est exposée à des photons optiques, une résistance de trempe couplée électriquement à la microcellule en série ; et un premier commutateur disposé entre la résistance de trempe et une sortie du photomultiplicateur à semi-conducteurs, le premier commutateur étant couplé électriquement à la microcellule par l'intermédiaire de la résistance de trempe et étant conçu pour coupler de manière sélective la microcellule à la sortie.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)