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1. (WO2016197062) STRUCTURES ÉLECTROLUMINESCENTES À INJECTION DE FRÉQUENCE PORTEUSE SÉLECTIVE DANS DE MULTIPLES COUCHES ACTIVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/197062 N° de la demande internationale : PCT/US2016/035913
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01S 5/34 (2006.01) ,H01S 5/42 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34
comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique (lasers SQW), lasers à plusieurs puits quantiques (lasers MQW), lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif (lasers GRINSCH)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
42
Réseaux de lasers à émission de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants :
OSTENDO TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 6185 Paseo del Norte, Suite 200 Carlsbad, California 92011, US
Inventeurs :
EL-GHOROURY, Hussein S.; US
KISIN, Mikhail V.; US
YEH, Yea-Chuan Milton; US
CHUANG, Chih-Li; US
CHEN, Jyh-Chia; US
Mandataire :
VINCENT, Lester J.; US
Données relatives à la priorité :
62/171,53605.06.2015US
62/275,65006.01.2016US
62/290,60703.02.2016US
Titre (EN) LIGHT EMITTING STRUCTURES WITH SELECTIVE CARRIER INJECTION INTO MULTIPLE ACTIVE LAYERS
(FR) STRUCTURES ÉLECTROLUMINESCENTES À INJECTION DE FRÉQUENCE PORTEUSE SÉLECTIVE DANS DE MULTIPLES COUCHES ACTIVES
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.
(FR) L'invention concerne des régions optiquement actives multi-couches pour des dispositifs électroluminescents à semi-conducteur (DEL) qui incorporent des couches de blocage de fréquence porteuse intermédiaires, les couches de blocage de fréquence porteuse intermédiaires comportant des paramètres de conception pour des compositions et des niveaux de dopage sélectionnés pour fournir une commande efficace sur la répartition d'injection de fréquence porteuse dans l'ensemble des régions actives afin d'obtenir les caractéristiques d'injection souhaitées. Des exemples de modes de réalisation décrits ici comprennent, entre autres : une DEL de couleur variable à multiples puits quantiques fonctionnant dans la gamme optique visible avec couverture complète de la gamme de couleurs RVB, une DEL de couleur variable à multiples puits quantiques fonctionnant dans la gamme optique visible avec une gamme de couleurs étendue au-delà de gamme de couleurs RVB standard, une DEL émettant de la lumière blanche à multiples puits quantiques avec une température de couleur variable, et une DEL à multiples puits quantiques avec des couches actives peuplées de manière uniforme.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)