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1. (WO2016197030) COUPLEUR DE BORD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/197030    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/035872
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
G02B 6/30 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/136 (2006.01)
Déposants : ELENION TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 171 Madison Avenue Suite 1100 New York, New York 10016 (US)
Inventeurs : NOVACK, Ari, Jason; (US).
SHI, Ruizhi; (US).
HOCHBERG, Michael, J.; (US).
BAEHR-JONES, Thomas, Wetteland; (US)
Mandataire : RUDISILL, Stephen, G.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/170,772 04.06.2015 US
14/798,780 14.07.2015 US
Titre (EN) EDGE COUPLER
(FR) COUPLEUR DE BORD
Abrégé : front page image
(EN)A composite optical waveguide is constructed using an array of waveguide cores, in which one core is tapered to a larger dimension, so that all the cores are used as a composite input port, and the one larger core is used as an output port. In addition, transverse couplers can be fabricated in a similar fashion. The waveguide cores are preferably made of SiN. In some cases, a layer of SiN which is provided as an etch stop is used as at least one of the waveguide cores. The waveguide cores can be spaced away from a semiconductor layer so as to minimize loses.
(FR)La présente invention concerne un guide d'ondes optique composite conçu à l'aide d'un ensemble de noyaux de guide d'ondes, dans lequel un noyau est effilé pour posséder une dimension plus grande, de sorte que tous les noyaux sont utilisés en tant qu'orifice d'entrée composite, et que le noyau plus grand est utilisé comme orifice de sortie. En outre, des coupleurs transversaux peuvent être fabriqués de façon similaire. Les noyaux de guide d'ondes sont constitués de préférence de SiN. Dans certains cas, une couche de SiN, qui est fournie sous la forme d'un arrêt de gravure, est utilisée en tant qu'au moins l'un des noyaux de guide d'ondes. Les noyaux de guide d'ondes peuvent être disposés à distance d'une couche semi-conductrice de manière à minimiser les pertes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)