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1. (WO2016196883) PHOTORÉSISTANCE SUR SUBSTRAT SILICIUM SUR ISOLANT, ET PHOTODÉTECTEURS COMPRENANT CETTE DERNIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/196883    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/035647
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : LUNA INNOVATIONS, INC. [US/US]; 1 Riverside Circle, Suite 400 Roanoke, VA 24016 (US)
Inventeurs : GOUSHCHA, Alexander, O.; (US)
Mandataire : LASTOVA, John, R.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/170,244 03.06.2015 US
Titre (EN) PHOTORESISTOR ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE AND PHOTODETECTORS INCORPORATING SAME
(FR) PHOTORÉSISTANCE SUR SUBSTRAT SILICIUM SUR ISOLANT, ET PHOTODÉTECTEURS COMPRENANT CETTE DERNIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)A photoresistor comprises a silicon-on-insulator substrate (101) comprising a device layer (4). In an example embodiment and mode at least two non-contiguous first highly conductive regions (2, 3) of semiconductor material are formed on a surface of the device layer, and at least one active region (1) of a high resistivity semiconductor material of a same conductivity type as the first highly conductive regions are formed to propagate through a whole thickness of the device layer and to electrically contact the at least two non-contiguous first highly conductive regions.
(FR)L'invention concerne une photorésistance qui comprend un substrat silicium sur isolant (101) comprenant une couche de dispositif (4). Dans un exemple de mode de réalisation et un mode, au moins deux premières régions fortement conductrices non contiguës (2, 3) de matériau semi-conducteur sont formées sur une surface de la couche de dispositif, et au moins une région active (1) d'un matériau semi-conducteur à haute résistivité du même type de conductivité que les premières régions fortement conductrices est formée pour se propager à travers l'épaisseur entière de la couche de dispositif et pour venir électriquement en contact avec les au moins deux premières régions fortement conductrices non contiguës.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)