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1. (WO2016196813) MESURE DE DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEUR PAR CHARGE PAR EFFET COURONNE DE POTENTIEL DE SURFACE CONSTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/196813 N° de la demande internationale : PCT/US2016/035545
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 02.06.2016
CIB :
G01N 27/24 (2006.01) ,G01N 21/95 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
22
en recherchant la capacité
24
Recherche de la présence de criques
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
Déposants :
SEMILAB SEMICONDUCTOR PHYSICS LABORATORY CO., LTD. [HU/HU]; Prielle Kornelia u. 2 H-1117 Budapest, HU
Inventeurs :
LAGOWSKI, Jacek; US
WILSON, Marshall; US
SAVTCHOUK, Alexandre; US
ALMEIDA, Carlos; US
BUDAY, Csaba; HU
Mandataire :
WONG, Richard; US
Données relatives à la priorité :
14/731,67705.06.2015US
Titre (EN) MEASURING SEMICONDUCTOR DOPING USING CONSTANT SURFACE POTENTIAL CORONA CHARGING
(FR) MESURE DE DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEUR PAR CHARGE PAR EFFET COURONNE DE POTENTIEL DE SURFACE CONSTANT
Abrégé :
(EN) An example method of characterizing a semiconductor sample includes measuring an initial value, Vin, of a surface potential at a region of a surface of the semiconductor sample, biasing the semiconductor sample to have a target surface potential value (V0) of 2V or less, and depositing a monitored amount of corona charge (ΔQ1) on the region of the surface after adjusting the surface potential to the target value. The method also includes measuring a first value, V1, of the surface potential at the region after depositing the corona charge, determining the first change of surface potential (ΔV1=V1-V0), and determining the first capacitance value C1Q1/ ΔV1, and characterizing the semiconductor sample based on V0, V1, ΔV1, ΔQ1 and C1.
(FR) L'invention concerne un procédé donné à titre d'exemple de caractérisation d'un échantillon de semi-conducteur, qui consiste à mesurer une valeur initiale, Vin, d'un potentiel de surface au niveau d'une région d'une surface de l'échantillon de semi-conducteur, polariser l'échantillon de semi-conducteur de manière à avoir une valeur de potentiel de surface cible (V0) de 2V ou moins, et déposer une quantité surveillée de charge par effet couronne (ΔQ 1) sur la région de la surface après réglage du potentiel de surface à la valeur cible. Le procédé consiste également à mesurer une première valeur, V1, du potentiel de surface au niveau de la région après le dépôt de la charge par effet couronne, déterminer le premier changement de potentiel de surface (ΔV 1=V1-V 0), et déterminer la première valeur de capacité C 1 =ΔQ 1/ ΔV 1, et caractériser l'échantillon de semi-conducteur sur la base de V0, V 1, ΔV 1, ΔQ1 et C 1.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)