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1. (WO2016196798) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS PERMETTANT D'AUGMENTER LA DENSITÉ DE CONDITIONNEMENT DANS UN RÉSEAU DE CELLULES À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/196798 N° de la demande internationale : PCT/US2016/035526
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 02.06.2016
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
SUTARDJA, Sehat [US/US]; US (US)
LEE, Winston [US/US]; US (US)
LEE, Peter [US/US]; US (US)
CHANG, Runzi [US/US]; US (US)
MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'horizon Gunsite Road Brittons Hill St. Michael BB14027, BB
Inventeurs :
SUTARDJA, Sehat; US
LEE, Winston; US
LEE, Peter; US
CHANG, Runzi; US
Mandataire :
INGERMAN, Jeffrey H.; US
Données relatives à la priorité :
15/171,31102.06.2016US
62/170,93104.06.2015US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR INCREASING PACKING DENSITY IN A SEMICONDUCTOR CELL ARRAY
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS PERMETTANT D'AUGMENTER LA DENSITÉ DE CONDITIONNEMENT DANS UN RÉSEAU DE CELLULES À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Systems and methods are provided for using and manufacturing a semiconductor device. A semiconductor device comprises an array of transistors, wherein each respective transistor in at least some of the transistors in the array of transistors (i) is positioned adjacent to a respective first neighboring transistor and a respective second neighboring transistor in the array of transistors, (ii) has a source region that shares a first contact with a source region of the respective first neighboring transistor, and (iii) has a drain region that shares a second contact with a drain region of the respective second neighboring transistor.
(FR) La présente invention porte sur des systèmes et des procédés d'utilisation et de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Un dispositif à semi-conducteur comprend un réseau de transistors, chaque transistor respectif dans au moins certains des transistors dans le réseau de transistors (i) étant positionné de manière adjacente à un premier transistor voisin et un deuxième transistor voisin respectif dans le réseau de transistors, (ii) ayant une région de source qui partage un premier contact avec une région de source du premier transistor voisin respectif, et (iii) ayant une région de drain qui partage un second contact avec une région de drain du deuxième transistor voisin respectif.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)