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1. (WO2016196600) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES AMÉLIORÉES DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE TRANCHE UNIQUE AVEC RÉGULATION D'UNIFORMITÉ VOULUE

Pub. No.:    WO/2016/196600    International Application No.:    PCT/US2016/035223
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Thu Jun 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/15
Applicants: ATOMERA INCORPORATED
Inventors: MEARS, Robert, J.
CODY, Nyles
STEPHENSON, Robert, John
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES AMÉLIORÉES DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE TRANCHE UNIQUE AVEC RÉGULATION D'UNIFORMITÉ VOULUE
Abstract:
La présente invention porte également sur un procédé de traitement d'une tranche de semi-conducteur dans une chambre de traitement de tranche unique qui peut comprendre le chauffage de la chambre de traitement de tranche unique à une température dans une plage de 650-700 °C, et la formation d'au moins un super-réseau sur la tranche de semi-conducteur à l'intérieur de la chambre de traitement de tranche unique chauffée par dépôt de silicium et d'oxygène pour former une pluralité de groupes empilés de couches. Chaque groupe de couches peut comprendre une pluralité de monocouches de silicium de base empilées définissant une partie de silicium de base, et au moins une monocouche d'oxygène non semi-conductrice contrainte à l'intérieur d'un réseau cristallin de parties de silicium de base adjacentes. Le dépôt de l'oxygène peut comprendre le dépôt de l'oxygène à l'aide d'un écoulement de gaz de N2O.