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1. (WO2016196551) TRACES DE SIGNAUX DIFFÉRENTIELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/196551 N° de la demande internationale : PCT/US2016/035158
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 01.06.2016
CIB :
H01L 23/52 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
Déposants :
FCI USA LLC [US/US]; 825 Old Trail Road Etters, PA 17319, US
Inventeurs :
STAUDT, Benjamin, Reed; US
Mandataire :
WALSH, Edmund, J.; US
Données relatives à la priorité :
62/170,24503.06.2015US
Titre (EN) DIFFERENTIAL SIGNAL TRACES
(FR) TRACES DE SIGNAUX DIFFÉRENTIELS
Abrégé :
(EN) Disclosed herein is a method. A first electrically conductive trace is provided on a substrate. A second electrically conductive trace is providing on the substrate proximate the first electrically conductive trace. A solder mask is provided at the first and the second electrically conductive traces. A portion of the first electrically conductive trace is free of any portion of the solder mask covering thereon.
(FR) L'invention concerne un procédé. Une première trace électroconductrice est agencée sur un substrat. Une seconde trace électroconductrice est agencée sur le substrat à proximité de la première trace électroconductrice. Un masque de soudure est agencé au niveau de la première et de la seconde traces électroconductrices. Une partie de la première trace électroconductrice est exempte d'une quelconque partie du recouvrement du masque de soudure sur celle-ci.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)