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1. (WO2016196160) APPAREIL DE NITRURE DE GALLIUM DOTÉ D'UNE RÉGION RICHE EN PIÈGES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/196160    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/034240
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/32 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, Massachusetts 02062-9106 (US)
Inventeurs : DELIWALA, Shrenik; (US).
FIORENZA, James; (US).
JIN, Donghyun; (US)
Mandataire : ARORA, Suneel; (US)
Données relatives à la priorité :
62/168,473 29.05.2015 US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE APPARATUS WITH A TRAP RICH REGION
(FR) APPAREIL DE NITRURE DE GALLIUM DOTÉ D'UNE RÉGION RICHE EN PIÈGES
Abrégé : front page image
(EN)A method cold-melts a high conductivity region between a high-resistivity silicon substrate and a gallium-nitride layer to form a trap rich region that substantially immobilizes charge carriers in that region. Such a process should substantially mitigate the parasitic impact of that region on circuits formed at least in part by the gallium-nitride layer.
(FR)Un procédé procède à une fusion sur charge solide d'une région à haute conductivité entre un substrat de silicium à haute résistivité et une couche de nitrure de gallium afin de former une région riche en pièges qui immobilise sensiblement les porteurs de charge dans cette région. Un tel procédé doit sensiblement atténuer l'impact parasite de cette région sur les circuits constitués au moins en partie de la couche de nitrure de gallium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)