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1. (WO2016195961) MISE EN TAMPON POUR UNE ÉCRITURE VERS UN RÉSEAU DE DISPOSITIFS DE MÉMORISATION NON VOLATILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/195961 N° de la demande internationale : PCT/US2016/032084
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 12.05.2016
CIB :
G06F 11/14 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G06F 11/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
14
Détection ou correction d'erreur dans les données par redondance dans les opérations, p.ex. en utilisant différentes séquences d'opérations aboutissant au même résultat
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3
Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
06
Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
16
Détection ou correction d'erreur dans une donnée par redondance dans le matériel
20
en utilisant un masquage actif du défaut, p.ex. en déconnectant les éléments défaillants ou en insérant des éléments de rechange
Déposants :
PURE STORAGE, INC. [US/US]; 650 Castro Street Suite 400 Mountain View, California 94041, US
Inventeurs :
CERRETA, William P.; US
COLGROVE, John; US
KIRKPATRICK, Peter E.; US
Mandataire :
LENART, Edward J.; US
Données relatives à la priorité :
14/725,27829.05.2015US
Titre (EN) BUFFERING DATA TO BE WRITTEN TO AN ARRAY OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICES
(FR) MISE EN TAMPON POUR UNE ÉCRITURE VERS UN RÉSEAU DE DISPOSITIFS DE MÉMORISATION NON VOLATILES
Abrégé :
(EN) Buffering data to be written to an array of non-volatile storage devices, including: receiving a request to write data to the array of non-volatile storage devices; sending, to a non-volatile random access memory ('NVRAM') device, an instruction to write the data to dynamic random access memory ('DRAM') in the NVRAM device, the DRAM configured to receive power from a primary power source, the DRAM further configured to receive power from a backup power source in response to the primary power source failing; and writing the data to the DRAM in the NVRAM device.
(FR) L'invention concerne la mise en tampon de données pour une écriture vers un réseau de dispositifs de mémorisation non volatiles, comprenant : la réception d'une demande d'écriture de données vers le réseau de dispositifs de mémorisation non volatiles ; l'envoi, à un dispositif de mémoire vive non volatile (« NVRAM »), d'une instruction d'écriture des données vers une mémoire vive dynamique (« DRAM ») dans le dispositif NVRAM, la DRAM étant configurée pour recevoir de l'énergie en provenance d'une source d'alimentation principale, la DRAM étant en outre configurée pour recevoir de l'énergie en provenance d'une source d'alimentation de réserve en réponse à une défaillance de la source d'alimentation principale ; et l'écriture des données vers la DRAM dans le dispositif de NVRAM.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)